#.小结
1.第三章讨论的BJT是电流控制电流器件，有两种载流子参与导电，属于双极型器件；而FET是电压控制电流器件，只依靠一种载流子导电，因而属于单极型器件。虽然这两种器件的控制原理有所不同，但通过类比可发现，组成电路的形式极为相似，分析的方法仍然是图解法(亦可用公式计算)和小信号模型分析法
2.在FET放大电路中，Vds的极性决定于沟道性质，N(沟道)为正，P(沟道)为负；为了建立合适的偏置电压Vgs，不同类型的FET，对偏置电压的极性有不同要求；JFET的Vgs与Vds极性相反，增强型MOSFET的Vgs与Vds同极性，耗尽型MOSFET的Vgs可正、可负或为零
3.按三端有源器件三个电极的不同连接方式，两种器件(BJT、JFET、MESFET和MOSFET)可以组成六种组态。但依据输出量与输入量之间的大小与相位关系的特征，这六种组态又可归纳为三种组态，即反相电压放大器、电压跟随器和电流跟随器。这为放大电路的综合设计提供了有实用意义的思路
4.由于FET具有输入阻抗高、噪声低(如JFET)等一系列优点，而BJT β高，若FET和BJT结合使用，就可大大提高和改善电子电路的某些性能指标。BiFET模拟集成电路就是按这一特点发展起来的，从而扩展了FET的应用范围
5.由于GaAs的电子迁移率比硅大约5~10倍，高速GaAs MESFET正被用于高频放大和高速数字逻辑电路，其互导gm可达100ms，甚至更高。
6.MOS器件主要用于制成集成电路。由于微电子工艺水平的不断提高，在大规模和超大规模数字集成电路中应用极为广泛，同时在集成运算放大器和其他模拟集成电路中也得到了迅速的发展，其中BiCMOS集成电路更具特色，因此，MOS器件的广泛应用必须引起读者的高度重视 |
