本周对于Intel的10nm先进工艺来说，可谓坐过山车般。周二的精尖制造日活动，Intel大谈特谈拥有超微缩FinFET的10nm是如何先进，领先友商3年，然而周三，Digitimes从笔记本OEM厂商那里获悉， Intel突然将Cannon Lake处理器延期到2018年末 。
对此，报道称，Intel中国区总裁杨旭接受采访时强调，“ Intel 10nm在今年第四季度就可以实现投产 。”
他同时指出，“我们现在已经有技术验证7nm到5nm都没有问题。 而且我们在通过前瞻研究推进5nm以后的，比如3nm、1nm ，这些当然就需要很多别的新的技术，英特尔一直在探索。”
不过，资料显示，从物理学的角度，5nm以及之后需要解决绝缘体的问题，目前的14nm/10nm使用的是氮碳化硅硼(SiBCN)，7nm使用的是氮碳氧化硅(SiOCN)， 但用于5nm的终极绝缘体气隙(air gap)连IBM也没搞定。
当然，这只是一方面，EUV的光源功率、III-V材料等也都个个棘手。
1nm都来了，看来pm(皮米)、fm(飞米)也快了。 |
