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安森美推出2.3Mp CMOS数字图像传感器

安森美推出2.3Mp CMOS数字图像传感器

20171027
推动高能效创新的安森美半导体(美国纳斯达克上市代号:ON)推出一款全新的1/2.7英寸、230万像素(Mp) CMOS数字图像传感器,采用1936Hx 1188V有效像素阵列。AR0239能够在具挑战性的强光和微光下生成非常清晰及鲜明的数字图像,还能够捕捉连续视频和单帧图像,安防和监控成像系统、随身带相机以及车载DVR(行车记录器)等应用的理想之选。

AR0239具有出色的微光拍照性能、增强的近红外(NIR)量子效率(QE)及捕捉高动态范围场景功能等重要特性。高灵敏度的3微米(μm) x 3 μm背照式(BSI)像素技术配合改进的NIR工艺,包括安森美半导体的DR-Pix™技术,使其敏感度和QE比上一代器件分别提高21%10%


该传感器具有各种精密的相机功能,如像素相加(binning)和阵列框选(windowing)它的片上模数转换器(ADC)支持10位和12位架构。使用串行接口在线性模式下运行时,该器件可实现完全兼容HiSPi/MiPi的高清晰度(HD)90fps下的分辨率高达1080p,具有卓越的视频性能。以高达30fps运行时,可实现两或三重曝光1080p HDR输出。

经过优化的AR0239易用于设计中,并提供多摄像机同步功能简化了更复杂的设置。采用iBGA封装提高这款新的图像传感器高温和高湿度下的工作性能稳定性和可靠性。该器件的工作温度范围为-30°C+85°C,符合工业应用规

安森美半导体消费方案分部副总裁兼总经理GianlucaColli表示:当今世界上一些发展迅速的重要成像应用中,富挑战混光场景为典型。安防和监控成像应用是其中最明显的,因为涉及安全、安乃至人身安全都取决于所用的图像传感器技术的性能。AR0239能在强光和微光并存的同一应用场景中捕捉非常清晰细致及鲜明的图像。这款功能强大的器件成为挑战应用视觉技术的一大进步

AR0239采用9 mm x 9 mm iBGA-63封装。工程样品现已上市计划于201711月量产。如需订购样品,请联系安森美半导体销售代表

媒体联系:
沈美娟                  
亚太区传讯               
安森美半导体
              
(852) 2689-0156
daisy.sham@onsemi.com
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