国几个主要手机大厂（OPPO，VIVO，华为）的需求持续火爆，导致这些工厂给memory大厂的FORCAST数量也是非常巨大，下半年的预测量是上半年的二倍。但是三星，海力士，镁光，东芝等大厂的产能有限，并且对于大容量的NAND 制程纷纷转向3D，3D整个转产并不顺利，良率一直不高。以上的所有原因导致DRAM和大容量的NAND Flash市场价格一直上涨，价格居高不下，一些主流晶圆大厂三星，海力士，镁光，东芝等纷纷调整产能，停掉一些利润不大的产线，积极出货大容量DRAM和NAND Flash（EMMC）。
NAND FLASH行业由于大容量的利润随着价格不断飙涨，原厂利润也越来越好，这样导致很多原厂停产了小容量SLC等级的NAND Flash。三星停产K9F1G08U0E，东芝减产小容量NAND flash，海力士也准备停产掉1Gb 的H27U1G8F2CTR。Spansion的小容量产品全线提价，并且告知客户缺货。
停产导致价格持续上涨，给中小型企业带来了巨大的压力，客户急需找到一个能够持续稳定供货，并且有一定技术实力的原厂。环顾整个小容量nandflash市场，目前只有韩国ATO solution公司能够完成这个使命。他们是一家专注于小容量SLC NAND flash的厂商，容量从32MB到 256MB都有涉及, 32MB/64MB全球只有ATO在量产并且都有工业级和商业级。而且所有物料能够长期供货。他们具备一条M8晶圆产线使用，并且是自己独立研发的nandflash的产品，不受到其他公司专利权限制，
256Mbit (32Mx8Bit)NAND FLASH
型号 封装 工作温度
AFND5608U1-CKAK 12x20mm TSOP 0℃~70℃
AFND5608U1-CKCK 9x9mm FBGA 0℃~70℃
AFND5608U1-CKEK 9x11mm FBGA 0℃~70℃
AFND5608U1-CKAKI* 12x20mm TSOP -40℃~85℃
AFND5608U1-CKCKI 9x9mm FBGA -40℃~85℃
AFND5608U1-CKEKI 9x11mm FBGA -40℃~85℃
512Mbit (64Mx8Bit)NAND FLASH
型号 封装 工作温度
AFND1208U1-CKA 12x20mm TSOP 0℃~70℃
AFND1208U1-CKC 9x9mm FBGA 0℃~70℃
AFND1208U1-CKE 9x11mm FBGA 0℃~70℃
AFND1208U1-CKAI* 12x20mm TSOP -40℃~85℃
AFND1208U1-CKCI 9x9mm FBGA -40℃~85℃
AFND1208U1-CKEI 9x11mm FBGA -40℃~85℃
1G bit (128Mx8Bit)NAND FLASH
型号 封装 工作温度
AFND1G08U3-CKA 12x20mm TSOP 0℃~70℃
AFND1G08U3-CKC 9.0x9.0mm FBGA 0℃~70℃
AFND1G08U3-CKD 6.5x8.0mm FBGA 0℃~70℃
AFND1G08U3-CKAI 12x20mm TSOP -40℃~85℃
AFND1G08U3-CKCI 9.0x9.0mm FBGA -40℃~85℃
AFND1G08U3-CKDI 6.5x8.0mm FBGA -40℃~85℃
1Gbit Serial NAND Flash Memory
型号 封装 工作温度
ATO25D1GA-10ED WSON 8x6mm -30℃ ~ 85℃
ATO25D1GA-10ID WSON 8x6mm -40℃~85℃
ATO AFND1208U1 可以代替Numonyx 停产NAND512W3A2DZA6E ......
ATO AFND1G08U3 可以代替 三星停产K9F1G08U0E...... |
