1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，从而降低每个位(bit)的成本，并且具有较高的性能。适用于大量数据的存储口轻松升级。经过近30年的发展与技术推进。目前NAND Flash已经广泛应用于各类电子信息产品及工业医疗领域。NAND Flash已经是电子产品在高密度数据储存设备中的最优解决方案。
NAND Flash的基本存储单元是页(Page)，NAND Flash的页就类似硬盘的扇区，硬盘的1个扇区也为512字节。每页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到(512+16)Byte的表示方式。
NAND是以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。
SLC、MLC和TLC的差别
SLC(Single Level Cell；SLC)即单层式储存，主要由三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)等公司生产。
SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，透过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于硅效率(Silicon efficiency)的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。
MLC(Multi-Level Cell；MLC)即多层式储存。主要由东芝、三星生产销售。MLC是英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功，其作用是将两个单位的信息存入1个Floating Gate(Flash Memory存储单元中存放电荷的部分)，然后利用不同电位(Level)的电荷，透过储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以1次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。
TLC(Trinary-Level Cell；TLC)，即3bit/cell，也就是1个内存储存单元可存放3个位。TLC速度慢，寿命短，但成本低，价格也较便宜，有500~1,000次擦写寿命。
TLC一直到2009年才开发出来，到2010年第1季东芝才开始销售，三星则到2010年3月才开始销售，目前制程技术还在持续改进中。NAND Flash技术不断演进，价格不断下降中。目前由于成本的进一步下探，使用TLC规格的SSD（固态硬盘）已经开始大规模取代传统硬盘成为PC市场的最佳选择方案。
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