我现在使用的是MC9S12NE64,由于系统需要,我扩展了256*16的外置SRAM(按照EVB画的,我时序了解的并不是很熟),由于我看到的资料 AN2287和AN2408 我看这两个资料好像已经过时,并且没有针对性.现在我想了解
1:如果我使用外部RAM,地址在$8000-$BFFF,内部同地址的的FLASH是否会被覆盖,如果没有通过什么指令或方式区分
2.在软件编程中是否就是初始化完毕以后,先写PPAGE寄存器,然后再从$8000-$BFFF中像普通寻址一样使用,这种PPAGE段之间的翻转还要人为的区分,我找不到示例程序,技术文档上的AN2287和AN2408肯定是不能用的
3. 资料中提到A14,A15好像已经提到不起作用了,由PPAGE下的XA14-XA19指定段地址,
但是我看到一些电路图仍然在使用(AN2408中),而我在评估板中的电路图中就没有使用,不知道这有什么区别
4. 我所知道MC9S12DG256B中是内置256Kflash的,AN2287和AN2408也主要是针对此芯片,但是我看到端口命名好像这两个资料中有不同(在2408的软件演示中)
当PPAGE为3E或3F时,地址分别映射了 $4000-$7FFF $C000-$FFFF 这两个16K在某时能重复寻址,而$8000-$BFFF此时又不能用,不理解为什么芯片设计为什么要这样作,不知道MC9S12NE64是否也是这样
以上一些问题概念比较模糊,大家能说说吗,能说多少是多少啊 |