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[求助]MC9S12NE64监控程序flash擦写???

[求助]MC9S12NE64监控程序flash擦写???

摸索监控程序中,对flash的操作不成功


我的外部晶振是25M,不知道flash的时钟分频寄存器FCLKDIV该写多大值?


有没有做过监控程序的,交流交流 ^_^


 

good good study
认为自己写的FCLKDIV值是对的

但是对flash操作还是不成功...
good good study
FCLKDIV的值应该是0x4F
25M除以8再除以15+1 得到195KHz。
我自己开始设定的FCLKDIV为0x4E

现在我down S19 to flash时,只能接收到最开始的S0格式的数据,
而且收到的数据还有漏码
对S1格式的数据都收不到

不知道有哪些方面的原因
good good study
对flash操作,频率必须控制在150KHz到200KHz之间,设置0x4e超出了范围,估计有问题。
将FCLKDIV设为0x4F之后操作还是不成功

郁闷...
good good study
对照数据手册上的步骤进行擦写。
网上有AN2140,是对S08单片机flash的擦写,但是过程和S12十分类似,可以作为参考
谢谢seuafu

继续努力!
good good study
请问,如果外部晶振是4M,FCLKDIV的值为多少?
HFFFDFF
你可以看data sheet的CRG那一章节,174页(或者其他页,看datasheet的版本)有一个系统时钟的框图,你的FCLKDIV的值需要根据oscillator clock来定,oscillator clock跟你是否用PLL,PLL出来的时钟是多少有关
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