首页 | 新闻 | 新品 | 文库 | 方案 | 视频 | 下载 | 商城 | 开发板 | 数据中心 | 座谈新版 | 培训 | 工具 | 博客 | 论坛 | 百科 | GEC | 活动 | 主题月 | 电子展
返回列表 回复 发帖

外扩器件的写信号高电平保持时间10ns大于9s12D64的2ns,是不是就不能外接此器件了

外扩器件的写信号高电平保持时间10ns大于9s12D64的2ns,是不是就不能外接此器件了

我需要在D64外扩一个器件


但是此器件的写信号高电平保持时间需要大于10ns


而9s12D64的Tdhw最小为2ns,


是不是就不能采用expanded的模式外接此器件了,只能模拟读写信号来实现外扩此器件呢?


或者不用管,直接接上用?

请参阅《AN2287.pdf》:HCS12 External Bus Design的第21页。
海纳百川  有容乃大
返回列表