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68HC908GZ16烧写flah问题,请进。

68HC908GZ16烧写flah问题,请进。

 


 我按照书上说的,写了个烧写程序,可是不能用啊,请大家帮忙看下错在哪了,谢谢


 void  move_write(void)
{

byte  *P2,*P3,cnt;


P2 = (byte*)0x200;
//P1 = (byte*)(word)delay;
P3 = (byte *)((word)write_to_flash);//烧写flash的子程序


for(cnt=0;cnt<0x100;cnt++)//把程序拷到RAM区去
  {
  *P2++ = *P3++;
  } 

  _asm
   {
     jsr 0x200;//跳转到RAM区 0X200运行,这样可以吗?
    }
}


1、我这样可以烧写吗?


2、我程序跳转到0X200后,就不回来了,因我对汇编不熟悉,所以不是很清楚

希望你与广大的师兄,师姐们交流!
你烧写flash的字节仔细算过,0x100够吗?
你的参数如何传递到烧写程序的?怎么在烧写前,没有参数的传递呢?
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