关于内存扩展 内存

mickmice

请教版主：
在利用XCS/ECS扩展SRAM内存时，用来连接保持芯片和内存芯片使能端的管脚XCS和ECS是有一个就可以了还是必须两个都连接到芯片的使能端口？
好像说ECS是用在片内Flash与片外RAM竞争总线的时候做片选用，XCS用在普通的扩展内存时片选用，这个有什么区别，必须同时都有才能用这个方法扩展片外RAM么？我的单片机只有ECS，没有XCS，这样是不是就不能用这个方法来扩展内存？
我看了半天文献（AN2408和AN2287），还是不能得出让自己信服的结论。还有文献中的deasserted state(VDD)是什么意思？
如果版主方便，麻烦版主帮忙解答一下，谢谢！

strongchen

S12的芯片有些有ECS和XCS引脚，有些只有ECS引脚。实际上，ECS信号用于指示对内部存储空间的操作，而XCS用于指示对外部存储空间的操作。所以，如果不是用于仿真，而是用于普通扩展模式时，应采用XCS信号进行外部片选。对于没有XCS引脚的芯片，只能采用其他的信号进行片选，如采用ECLK信号。

strongchen

所谓的deasserted state指的是非有效状态。如某个信号是低电平有效，那么高电平就是deasserted state。

mickmice

谢谢strongchen的回复，如果我想扩展内存，那么我用仿真模式扩展是不是一样能用？我看材料说仿真模式只用于教学和实验当中，但是我仔细看仿真模式的电路和原理，觉得如果用仿真模式扩展内存用于实践，好像也是可以的，是这样么？

strongchen

仿真模式当然是可以用的，但是如果真的用仿真模式，有很多需要注意的地方，也不是很方便。而且已有的内部资源都不能用了，岂不是浪费？所以一般用普通扩展模式就可以了。

mickmice

明白了，謝謝strongchen的回复！

mickmice

Stongchen，不好意思，还有个问题想请教，我的单片机没有XCS片选信号，本来是想用ECS做仿真模式，现在如果我想做普通扩展模式的话，我把ECLK信号取反以后代替ECS作为片选信号可以么？就是把ECLK取反后作XCS用，它能实现XCS的功能么？因为我看时序图上ECLK信号和XCS信号一直处于相反的状态，才会有这个想法。

mickmice

其实我觉得道理是这样的，因为锁存器是高电平使能，外部RAM是低电平使能，这样当ECLK为低电平的话，内存不能读写，输出口处于高阻状态，ECLK取反为高电平，锁存器译码输出地址到内存输入口；当ECLK为高电平时，内存使能，内存读/写，锁存器不能译码，锁存上一部译码的地址给内存。
这样是否正确？是不是我想的太简单了，因为我看Freescale网站上资料的电路好像没有我这么做的。

strongchen

对，ECLK应该取反作外部存储器的使能信号。由于ECLK的正脉冲出现的时间比ECS或XCS要晚很多，因此如果用ECLK锁存地址的话，应该用它的上跳沿作为触发信号，这样才来得及。

mickmice

呵呵，知道了，谢谢strongchen的热心指导。