flash问题请教！ flash, 请教

fanxing

我用的是DP256，写flash在0x6000可以，但地址换成0x8000就不行了为什么呢？
还有就是编了个擦除程序，不好使，不知道是什么问题，请斑竹指教。谢谢！


byte EraseSectorInternal(dword Addr)
{ _asm SEI;
FSTAT= 0x30;
while(FSTAT_CBEIF==0){ i++;
}
//*(volatile word *) (Addr&0xFFFF) = 0x10;
ldata=0x1234;
add= (word *)Addr;

*add= ldata;
FCMD = 0x40; // Word program command命令寄存器，flash擦除512操作
FSTAT_CBEIF =1; // Clear flag command buffer empty

while(FSTAT_CBEIF==0);
//while(FCNFG_CCIE == 1); // Enable interrupt
//FSTAT;
while(FSTAT_CCIF==0);
ERR_OK=1;
return ERR_OK;
//err=*add; // OK
_asm CLI;
}

[此贴子已经被作者于2008-3-5 22:22:04编辑过]

strongchen

0x8000为分页地址区的地址，对这个地址的操作要小心，因为与PPAGE寄存器的值有关。还是把整个PROJECT打包贴出来看看吧。

fanxing

http://bbs.chinaecnet.com/uploadImages/flash.rar

这是PROJECT,斑竹帮看看吧，好像不怎么能用，刚刚学习接触，请斑竹多多指教，谢谢。

strongchen

看过你的PROJECT了，发现主要有两个问题。
第一个问题，必须了解DP256的FLASH是分成4个块的（BANK或BLOCK，参见S12FTS256KV2.pdf的第16页）。程序只能在一个块中对另一个FLASH块进行擦或写的操作，而不能对程序所在的块自身进行擦或写的操作。你要对7000这个地址进行操作，同时你又将程序放入了NON_BANKED区，它们都是处于BLOCK 0中的，这样就有问题了。解决这个问题的办法，只要将程序放入分页区即可。有些应用是将FLASH擦写程序放入RAM中执行，这样就可以对所有的FLASH区进行操作了。

strongchen

第二个问题，还是与FLASH的分块有关。DP256的FLASH分为4块，那么它的控制和状态寄存器也相应地分成4组，需要通过FCNFG中的BKSEL位来选择对哪一块进行操作。而且，如果其中任意一组的状态寄存器中有错误，都无法对FLASH进行操作。所以在擦写操作之前，要加这么一段代码，对所有4组状态寄存器进行检测和清零：
FCNFG_BKSEL = 0;
while(FSTAT & 0x30) FSTAT |= 0x30;
FCNFG_BKSEL = 1;
while(FSTAT & 0x30) FSTAT |= 0x30;
FCNFG_BKSEL = 2;
while(FSTAT & 0x30) FSTAT |= 0x30;
FCNFG_BKSEL = 3;
while(FSTAT & 0x30) FSTAT |= 0x30;

FCNFG_BKSEL = 0;

fanxing

恩，多谢斑竹，我在好好看看分页，再次感谢斑竹！