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[求助]关于S12DG128超频后,代码通过BDM烧写问题

[求助]关于S12DG128超频后,代码通过BDM烧写问题

关于S12DG128超频后,代码通过BDM烧写问题

将总线时钟超频到了32MHz

烧写时:出现这个 Set Target Speed

Crystal frequency 和 Crystal/BDM frequency ration 两个填写

询问,我该如何设置呢?

代码:
void init_PLL(void)
{
REFDV=3;
SYNR=7; //总线时钟=16MHz*(SYNR+1)/(REFDV+1)=32MHz)
while(0==CRGFLG_LOCK); // wait for VCO to stablize
CLKSEL=0x80;

}
[upload=image/bmp]uploadImages/1_1.bmp[/upload]
不对,这个问题因该是没有连接到片子的原因
不是烧写的原应

自己解决了,呵呵
设为16M,呵呵
个人BLOG:http://blog.eccn.com/u/107300/index.htm
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