FDS3572:80V SO-8封装N-MOSFET 封装

silverwolf7516

12月10日讯,Fairchild半导体公司推出具有组合性能优势的SO-8封装的80V N沟MOSFET FDS3572,它能在DC/DC转换器初级边和同步整流开关电源次级边设计中提供极好的系统整体效率. FDS3572的米勒电荷(Qgd)为7.5nnC,比有相似Rds(on)额定数值的产品要低38%.这种低米勒电荷和器件的低导通电阻Rds(on)(16毫欧姆)使得噪音(FOM= RDS(on) x Qgd )比最接近的同类竞争产品要低120-33%.该器件还有业界最低的栅极总电荷,在Ggs=10V时为31nC,以得到低功率损耗,低QRR (70 nC)得到更低的反向恢复损耗和高的雪崩能量(EAS = 515 mJ)从而具有功能强大的性能.这许多的产品特性,和小尺寸封装一起,使得FDS3572很适合用在当今要求越来越大严格的电源设计中.