Infineon推出70nm DRAM Trench技术
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Infineon推出70nm DRAM Trench技术
| 12月14日讯,Infineon公司在2004年12月13-15日的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上宣布开发出用于将来DRAM的300mm硅片70nm沟槽(Trend)技术.目前全世界大约25%的DRAM采用这种沟槽技术来生产.Infineon开发的这种技术首先采用高K介质(Al2O3)材料,表明了70nm DRAM技术的突破和沟槽技术的可升级性. |
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