NTA4151:新型低压TrenchMOSFET系列 低压, TrenchMOSFET

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1月27日讯,安森美半导体(On Semiconductor)公司推出八款新型N沟道和P沟道,低压Trench MOSFET NTA4151PT1, NTE4151PT1, NTZS3151PT1, NTZD3152PT1(用于达850mA高端负载开关的P沟道MOSFET.提供单模式和双模式.), NTA4153NT1, NTE4153NT1, NTZD3154NT1(用于高达915mA低端负载开关的N沟道MOSFET.提供单模式和双模式)和NTZD3155CT1(互补N沟道和P沟道的组合,用于集成负载开关或小电流直流至直流转换),进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列.这些器件降低了漏极和源极之间的电阻（RDS(on)）,整体电源电路效率比其它同类封装的解决方案提高30%.