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上篇中我们介绍了带线电容的估算方法，按照基本的研究思路，接下来将讨论衰减。麦克斯韦方程是我们用到的基本方程。我们将用二个篇幅对方程进行介绍。本篇着重介绍高斯定律，以及其积分形式与微分形式。最后根据方程推算理想同轴线的电容。
在介绍方程之前，先给几个基本矢量运算法则：
高斯定律说明通过任何闭合表面的总电通量等于该表面所包含的总电荷。下面引用［1］中的一个例子来演示高斯定律。将电荷放置在原点，外面是半径为R的球面。那么球面围住的总电荷即为q。
以散度的形式来表达高斯定律，形式如下：
这样的形式其实说明了散度是单位净流出量的极限。"▽"为哈密顿算符，梯度即是以之表示的，而散度是以点乘的形式表示。这里我们需要再介绍一下梯度，为后面散度数学展开和最后同轴线电容的演算打下基础。
范例引用自［1］：
当正电荷从A点移向B点，将会克服阻力做功，方向与力的方向相反。如果从B到A，移动方向与力的方向相同，就没有负号，积分从B到A。
上式中展开即是依次求偏导，其中：
(q1, q2, q3)为坐标系，(h1, h2, h3)为拉梅系数或量度系数。其中球坐标系的坐标及拉梅系数分别为：(R,θ,φ) 和(1, R, Rsinθ)
理想同轴线电容演算：
求同轴线电容有几种解法，这里介绍最基本的一种。将同轴线中心放在原点如图所示，内径为a，外径为b，长度L，电场方向相外。 |
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