DSP精华问答（3），推荐！里面肯定有你需要的东西！！ DSP, 问答, 精华, 推荐

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如何选择DSP？

 

选择DSP可以根据以下几方面决定：
1)速度： DSP速度一般用MIPS或FLOPS表示，即百万次/秒钟。根据您对处理速度的要求选择适合的器件。一般选择处理速度不要过高，速度高的DSP，系统实现也较困难。
2)精度： DSP芯片分为定点、浮点处理器，对于运算精度要求很高的处理，可选择浮点处理器。定点处理器也可完成浮点运算，但精度和速度会有影响。
3)寻址空间： 不同系列DSP程序、数据、I/O空间大小不一，与普通MCU不同，DSP在一个指令周期内能完成多个操作，所以DSP的指令效率很高，程序空间一般不会有问题，关键是数据空间是否满足。数据空间的大小可以通过DMA的帮助，借助程序空间扩大。
4)成本： 一般定点DSP的成本会比浮点DSP的要低，速度也较快。要获得低成本的DSP系统，尽量用定点算法，用定点DSP。
5)实现方便： 浮点DSP的结构实现DSP系统较容易，不用考虑寻址空间的问题，指令对C语言支持的效率也较高。
6)内部部件：根据应用要求，选择具有特殊部件的DSP。如：C2000适合于电机控制；OMAP适合于多媒体等。
要了解DSP芯片的性能，本网中的"DSP及相关器件"中有介绍。

 

DSP同MCU相比的特点？

 

1)DSP的速度比MCU快，主频较高。
2)DSP适合于数据处理，数据处理的指令效率较高。
3)DSP均为16位以上的处理器，不适合于低档的场合。
4)DSP可以同时处理的事件较多，系统级成本有可能较低。
5)DSP的灵活性较好，大多数算法都可以软件实现。
6)DSP的集成度较高，可靠性较好。

 

DSP同嵌入CPU相比的特点？

 

1)DSP是单片机，构成系统简单。 2)DSP的速度快。 3)DSP的成本较低。 4)DSP的性能高，可以处理较多的任务。

 

如何编写C2000片内Flash？

 

DSP中的Flash的编写方法有三中：
1.通过仿真器编写：在我们的网页上有相关的软件，在销售仿真器时我们也提供相关软件。其中LF240x的编写可以在CCS中加入一个插件，F24x的编写需要在windows98下的DOS窗中进行。具体步骤见软件中的readme。有几点需要注意： a.必须为MC方式； b.F206的工作频率必须为20MHz； c.F240需要根据PLL修改C240_CFG.I文件。建议外部时钟为20MHz。 d.LF240x也需要根据PLL修改文件。 d.如果编写有问题，可以用BFLWx.BAT修复。
2.提供串口编写：TI的网页上有相关软件。注意只能编写一次，因为编写程序会破坏串口通信程序。
3.在你的程序中编写：TI的网页上有相关资料。

 

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如何编写DSP外部的Flash？



DSP的外部Flash编写方法：
1.通过编程器编写：将OUT文件通过HEX转换程序转换为编程器可以接受的格式，再由编程器编写。
2.通过DSP软件编写：您需要根据Flash的说明，编写Flash的编写程序，将应用程序和编写Flash的程序分别load到RAM中，运行编写程序编写。



对于C5000，大于48K的程序如何BOOT？



对于C5000，片内的BOOT程序在上电后将数据区的内容，搬移到程序区的RAM中，因此FLASH必须在RESET后放在数据区。由于C5000，数据区的空间有限，一次BOOT的程序不能对于48K。解决的方法如下：
1.在RESET后，将FLASH译码在数据区，RAM放在程序区，片内BOOT程序将程序BOOT到RAM中。
2.用户初试化程序发出一个I/O命令（如XF），将FLASH译码到程序区的高地址。开放数据区用于其它的RAM。
3.用户初试化程序中包括第二次BOOT程序（此程序必须用户自己编写），将FLASH中没有BOOT的其它代码搬移到RAM中。
4.开始运行用户处理程序。



DSP外接存储器的控制方式



对于一般的存储器具有RD、WR和CS等控制信号，许多DSP（C3x、C5000）都没有控制信号直接连接存储器，一般采用的方式如下：
1.CS有地址线和PS、DS或STRB译码产生；
2./RD=/STRB+/R/W； 3./WR=/STRB+R/W。

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GEL文件的功能？



GEL文件的功能同emuinit.cmd的功能基本相同，用于初始化DSP。但它的功能比emuinit的功能有所增强，GEL在CCS下有一个菜单，可以根据DSP的对象不同，设置不同的初始化程序。以TMS320LF2407为例：
#define SCSR1 0x7018 ；定义scsr1寄存器
#define SCSR2 0X7019 ；定义scsr2寄存器
#define WDKEY 0x7025 ；定义wdkey寄存器
#define WDNTR 0x7029 ；定义wdntr寄存器
StartUp() ; 开始函数
{
GEL_MapReset(); ; 存储空间复位 GEL_MapAdd(0x0000,0,0x7fff,1,1); 定义程序空间从0000－7fff 可读写
GEL_MapAdd(0x8000,0,0x7000,1,1); 定义程序空间从8000－f000 可读写
GEL_MapAdd(0x0000,1,0x10000,1,1); 定义数据空间从0000－10000可读写
GEL_MapAdd(0xffff,2,1,1,1); 定义i/o 空间0xffff可读写
GEL_MapOn(); 存储空间打开
GEL_MemoryFill(0xffff,2,1,0x40); 在i/o空间添入数值40h
*(int *)SCSR1=0x0200; 给scsr1寄存器赋值
*(int *)SCSR2=0x000C; 给scsr2寄存器赋值，在这里可以进行mp/mc方式的转换
*(int *)WDNTR=0x006f; 给wdntr寄存器赋值
*(int *)WDKEY=0x055; 给wdkey寄存器赋值
*(int *)WDKEY=0x0AA; 给wdkey寄存器赋值
}



使用TI公司模拟器件与DSP结合使用的好处。



1)在使用TI公司的DSP的同时，使用TI公司的模拟可以和DSP进行无缝连接。器件与器件之间不需要任何的连接或转接器件。这样即减少了板卡的尺寸，也降低了开发难度。
2)同为TI公司的产品，很多器件可以固定搭配使用。少了器件选型的烦恼
3)TI在CCS中提供插件，可以用于DSP和模拟器件的开发，非常方便。

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C语言中可以嵌套汇编语言？



可以。在ANSI C标准中的标准用法就是用C语言编写主程序，用汇编语言编写子程序，中断服务程序，一些算法，然后用C语言调用这些汇编程序，这样效率会相对比较高



在定点DSP系统中可否实现浮点运算



当然可以，因为DSP都可以用C,只要是可以使用c语言的场合都可以实现浮点运算。



JTAG头的使用会遇到哪些情况



1)DSP的CLKOUT没有输出，工作不正常。
2)Emu0，Emu1需要上拉。
3)TCK的频率应该为10M。
4)在3.3V DSP中，PD脚为3.3V 供电，但是仿真器上需要5V电压供电，所以PP仿真器盒上需要单独供电。
4)仿真多片DSP。在使用菊花链的时候，第一片DSP的TDO接到第二片DSP的TDI即可。注意当串联DSP比较多的时候，信号线要适当的增加驱动。



include头文件（.h)的主要作用



头文件，一般用于定义程序中的函数、参数、变量和一些宏单元，同库函数配合使用。因此，在使用库时，必须用相应的头文件说明。







DSP中断向量的位置



1)2000系列dsp的中断向量只能从0000H处开始。所以在我们调试程序的时候，要把DSP选择为MP（微处理器方式），把片内的Flash屏蔽掉，免去每次更改程序都要重新烧写Flash工作。
2)3x系列dsp的中断向量也只能在固定的地址。
3)5000，6000系列dsp的中断向量可以重新定位。但是它只能被重新定位到Page0范围内的任何空间。



有源晶振与晶体的区别，应用范围及用法



1)晶体需要用DSP片内的振荡器，在datasheet上有建议的连接方法。晶体没有电压的问题，可以适应于任何DSP，建议用晶体。 2)有源晶振不需要DSP的内部振荡器，信号比较稳定。有源晶振用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。



程序经常跑飞的原因



1)程序没有结尾或不是循环的程序。
2)nmi管脚没有上拉。
3)在看门狗动作的时候程序会经常跑飞。
4)程序编制不当也会引起程序跑飞。
5)硬件系统有问题。

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并行FLASH引导的一点经验-阿哲 最近BBS上关于FLASH和BOOT的讨论很活跃，我也多次来此请教。前几天自制的DSP板引导成功，早就打算写写这方面的东西。我用的DSP是5416，以其为核心，做了一个相对独立的子系统（硬件、软件、算法），目前都已基本做好。 下面把在FLASH引导方面做的工作向大家汇报一下，希望能对大家有所帮助。本人经验和文笔都有限，写的不好请大家谅解。 硬件环境： DSP：TMS320VC5416PGE160 FLASH：SST39VF400A-70-4C-EK 都是贴片的，FLASH映射在DSP数据空间的0x8000-0xFFFF 软件环境： CCS v2.12.01 主程序（要烧入FLASH的程序）： DEBUG版，程序占用空间0x28000-0x2FFFF（片内SARAM），中断向量表在0x0080-0x00FF（片内DARAM），数据空间使用0x0100-0x7FFF（片内DARAM）。 因为FLASH是贴片的，所以需要自己编一个数据搬移程序，把要主程序搬移到FLASH中。在写入FLASH数据时，还应写入引导表的格式数据。最后在数据空间的0xFFFF处写入引导表的起始地址（这里为0x8000）。 搬移程序： DEBUG版，程序空间0x38000-0x3FFFF（片内SARAM），中断向量表在0x7800-0x78FF（片内DARAM），数据空间使用0x5000-0x77FF（片内DARAM）。 搬移程序不能使用与主程序的程序空间和中断向量表重合的物理空间，以免覆盖。 烧写时，同时打开主程序和搬移程序的PROJECT，先LOAD主程序，再LOAD搬移程序，然后执行搬移程序，烧写OK! 附：搬移程序（仅供参考） volatile unsigned int *pTemp=(unsigned int *)0x7e00; unsigned int iFlashAddr; int iLoop; /* 在引导表头存放并行引导关键字 */ iFlashAddr=0x8000; WriteFlash(iFlashAddr,0x10aa); iFlashAddr++; /* 初始化SWWSR值 */ WriteFlash(iFlashAddr,0x7e00); iFlashAddr++; /* 初始化BSCR值 */ WriteFlash(iFlashAddr,0x8006); iFlashAddr++; /* 程序执行的入口地址 */ WriteFlash(iFlashAddr,0x0002); iFlashAddr++; WriteFlash(iFlashAddr,0x8085); iFlashAddr++; /* 程序长度 */ WriteFlash(iFlashAddr,0x7f00); iFlashAddr++; /* 程序要装载到的地址 */ WriteFlash(iFlashAddr,0x0002); iFlashAddr++; WriteFlash(iFlashAddr,0x8000); iFlashAddr++; for (iLoop=0;iLoop<0x7f00;iLoop++) { /* 从程序空间读数据，放到暂存单元 */ asm(" pshm al"); asm(" pshm ah"); asm(" rsbx cpl"); asm(" ld #00fch,dp"); asm(" stm #0000h, ah"); asm(" MVDM _iLoop, al"); asm(" add #2800h,4,a"); asm(" reada 0h"); asm(" popm ah"); asm(" popm al"); asm(" ssbx cpl"); /* 把暂存单元内容写入FLASH */ WriteFlash(iFlashAddr,*pTemp); iFlashAddr++; } /* 中断向量表长度 */ WriteFlash(iFlashAddr,0x0080); iFlashAddr++; /* 中断向量表装载地址 */ WriteFlash(iFlashAddr,0x0000); iFlashAddr++; WriteFlash(iFlashAddr,0x0080); iFlashAddr++; for (iLoop=0;iLoop<0x0080;iLoop++) { /* 从程序空间读数据，放到暂存单元 */ asm(" pshm al"); asm(" pshm ah"); asm(" rsbx cpl"); asm(" ld #00fch,dp"); asm(" stm #0000h, ah"); asm(" MVDM _iLoop, al"); asm(" add #0080h,0,a"); asm(" reada 0h"); asm(" popm ah"); asm(" popm al"); asm(" ssbx cpl"); /* 把暂存单元内容写入FLASH */ WriteFlash(iFlashAddr,*pTemp); iFlashAddr++; } /* 写入引导表结束标志 */ WriteFlash(iFlashAddr,0x0000); iFlashAddr++; WriteFlash(iFlashAddr,0x0000); /* 在数据空间的0xFFFF写入引导表起始地址 */ iFlashAddr=0xffff; WriteFlash(iFlashAddr,0x8000);