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IC生产线上的静电危害

IC生产线上的静电危害

      静电库仑力的危害:静电库仑力作用下吸附的粉尘、污物,可能带给元器件,从而增大泄露或造成短路,使性能受损,成品率大大下降。如粉尘粒径>100微米,铝线宽度约100微米,薄膜厚度在50微米以下时,最易使产品报废,这种情形多发生在腐蚀清洗、光刻、点焊和封装等工艺过程中

    静电 放点引起的危害:如有数千、数万伏的高电位物体发生脉冲刷形放电或火花放电时,瞬间会有很高的放电电流流向大地时,形成脉冲状的电流峰位在20A,造成可观的影响,静电放电(ESD)还伴随着电磁波发射,会引起种种危害。

  A、MOSIC等半导体器件将被静电放电(ESD)击穿或半击穿。MOS场效应管其栅极是从氧化膜引出,栅极与衬底间是隔着一层氧化膜,当栅极与衬底间的电压超过一定值,氧化膜便被击穿,如果MOSIC,则全部报废了当施加电压于天UB=50-100V,氧化膜便会被击穿,因为栅极电容很小(约几个微微法),输入阻搞很高(约1014Ω以上),这样,少量的电荷就会产生很高电压,电荷也很难汇漏,只要大于50V(无保护)就会烧毁,所以,只要人手一摸栅极,元件就坏了,因为人带电超过50V是平常事。

  我们可以了解到集成电路对静电敏感性,各种芯片不同之处在于所能承受的耐静电压值不同。实际工用条件中,几乎20V的静电压直接接触器件就足以毁坏或降低性能。

  静电放电损坏元器件使整块印刷电路板失去作用,造成经济损失;

  静电放电的噪声引起机器设备的误动作或故障一间接放电影响,电容放电测得结果,除产生瞬间脉冲大电流外,还会产生跨越数兆赫兹,甚至数百赫兹的强大噪声。近年来,静电放电噪声引起计算机误动作的基础研究取得很大进展。

  放电时产生的电磁波进入接收机后,会产生杂音,干扰信号从而降低信息质量,或引起信息误码。文章来自www.esd.cn
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