东芝推出100V低导通电阻N沟道功率MOSFET TK55S10N1 产品, 东芝公司, 计划, 资讯

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东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)已推出一款100V的低导通电阻、低漏电型功率MOSFET。该产品采用最新的沟道MOS工艺打造，成为汽车专用系列中的最新成员。新产品“TK55S10N1”的导通电阻较低，搭载以最新的第八代沟道MOS工艺打造的“U-MOS VIII-H系列”芯片，并采用配以铜连接器的“DPAK+”封装。该产品主要适用于汽车应用，尤其是开关稳压器等需要高速开关的汽车应用。该产品现已推出样品，并计划于2013年4月投入量产。

极性		产品型号		漏极到源极电压 VDSS (V)		漏极电流 ID (A)		系列
通道号		TK55S10N1		100		55		U-MOS VIII-H

主要特性
1.		低导通电阻(VGS=10V)
		RDS(ON) = 5.5mΩ（标准值）
2.		低漏电电流IDSS=10μA（最大值）（VDS=额定电压）
3.		“DPAK+”封装，通过利用铜连接器实现低导通电阻。

关于东芝
东芝是一家全球领先的多元化制造商、解决方案提供商以及先进电子电器产品营销商。东芝集团的创新和成像业务非常广泛，包括：数码产品，包括LCD电视、笔记本电脑、零售解决方案和多功能一体机(MFP)；电子产品，包括半导体、存储产品和材料；工业和社会基础设施系统，包括发电系统、智能社区解决方案、医疗系统以及扶手电梯和升降机；以及家用电器。

东芝成立于1875年，如今运营有一个由550多家各级公司组成的全球网络，在全球拥有202,000名员工，年销售额逾6.1万亿日元（约合740亿美元）。请访问东芝网站：www.toshiba.co.jp/index.htm