台积电eLL超低漏电流工艺助力Energy Micro MCU 电流, 工艺, 台积电, 总裁

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节能微控器和无线射频供应商Energy Micro宣布其一直与台积电紧密合作来验证台积电的eLL（超低漏电流工艺）技术给其新一代的低功耗Cortex-M 微控制器带来的好处。和台积电的密切配合，使Energy Micro可以很早接触这一最新的工业技术，从而进一步增强其MCU产品性能。
台积电的eLL超低漏电流工艺是其嵌入式闪存（EmbFlash）技术最新的改良版，相比之前的解决方案，该工艺带来更低的功耗-待机电流降低50-70%，运行电流降低30%。

Energy Micro的全球销售副总裁Andreas Koller说：“EFM32 MCU产品的低功耗性能使其从竞争产品中脱颖而出。过渡到带浮点单元的ARM Cortex-M4 这一32位的DSP CPU 内核是很自然的举动，同时我们的低功耗Gecko技术也受益于台积电有着最好低功耗性能的最新工艺。”

台积电欧洲总裁Maria Marced说：“Energy Micro的低功耗MCU产品有着出色的低功耗特性和产品性能。Gecko技术与台积电的超低漏电流嵌入式闪存处理工艺的结合，使得Energy Micro的产品的功耗显著降低，从而进一步增强Energy Micro的竞争地位。”

EFM32 Cortex-M4微控制器产品具有浮点运算单元。