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4年的艰苦攻关
说起先进的半导体工艺，Intel、IBM、台积电、三星电子这些耳熟能详的名字肯定会立刻出现在大家的脑海中，而因为各方面的限制，国内在这方面的差距还非常非常大，只有中芯国际能拿得出手，但也总比国外落后几个时代。
不过据《中国科学报》最新消息，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心（以下简称先导工艺研发中心）通过4年的艰苦攻关，在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上，实现了重要突破，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能良好。
由于这一工作采用了与工业生产一致的工艺方法和流程，具备向产业界转移的条件，因而对我国集成电路产业的技术升级形成了具有实际意义的推动作用。同时，该先导工艺研发中心建成了一个能够开展22纳米及以下技术代研发的工艺平台。
这标志着，我国也加入了高端集成电路先导工艺研发的国际俱乐部。
4年艰苦攻关中国22纳米半导体工艺获重大突破。 |
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