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MRAM解决手提设备上电延时和数据遗失

MRAM解决手提设备上电延时和数据遗失

摩托罗拉半导体事业部和摩托罗拉实验室合作推出了1M位磁阻随机存储器(MRAM)通用存储芯片。

1M位MRAM存储器能消除电子设备中共同问题,如计算机和手机的上电慢,数据遗失,装载数据长时间等待,电池寿命短等。MRAM设计成允许所有的程序和数据保持在局部的存储器,即使在电源关断时。它也能期望消除手机开机时的延时。
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