首页
|
新闻
|
新品
|
文库
|
方案
|
视频
|
下载
|
商城
|
开发板
|
数据中心
|
座谈新版
|
培训
|
工具
|
博客
|
论坛
|
百科
|
GEC
|
活动
|
主题月
|
电子展
注册
登录
论坛
博客
搜索
帮助
导航
默认风格
uchome
discuz6
GreenM
»
模拟电路
» 冯诺依曼结构和哈佛结构
返回列表
回复
发帖
发新话题
发布投票
发布悬赏
发布辩论
发布活动
发布视频
发布商品
冯诺依曼结构和哈佛结构
发短消息
加为好友
pengpengpang
(pengpengpang)
当前离线
UID
1023229
帖子
6106
精华
0
积分
3055
阅读权限
90
来自
中国
在线时间
156 小时
注册时间
2013-12-20
最后登录
2016-7-3
论坛元老
UID
1023229
来自
中国
1
#
打印
字体大小:
t
T
pengpengpang
发表于 2015-10-19 21:11
|
只看该作者
冯诺依曼结构和哈佛结构
诺依曼
,
哈佛
,
资源
哈佛结构是,数据和代码分开存在。
冯诺依曼结构是在哈佛结构之后提出的,冯诺依曼提出“代码本身也是一种数据”,解决了哈佛结构的一个问题——总线暂用资源太多。
冯诺依曼结构是,数据和代码放在一起。
首先,通过BIOS(Uboot)将硬盘(Flash)中的程序(数据和代码),全部拷贝到RAM。所以此时RAM内部会分为多个段——代码段,date段,bss段等等。这样相比哈佛结构,就节省了一套外部的数据总线和地址总线。
但是这样也会带来的坏处——速度变慢了。本来数据和代码是分开存储的,他们分别对应“两条高速通道”。现在,数据和代码都放在一起对应“一条高速通道”。
而随着半导体工业的发展,很多东西可以集成到芯片内部。在芯片内部走线比在PCB外部走线成本要低出很多。
也就是说,哈佛结构很适合被设计到芯片内部。而冯诺依曼结构仍然存在于芯片外部。
于是乎,便出现了现在的冯诺依曼和哈佛结构并存的混合式结构:
这种结构就是目前ARM的结构,将两种结构扬其长,避其短。其中,芯片内部的cache,表示高速缓存(cache一词据说来自法语,难道cache是法国人发明的?哈哈。)Dcache用来缓存部分代码,icache用来缓存部分数据。只有需要改变时,cache才会到RAM中加载新的数据。所以大部分时间CPU都是通过哈佛结构和cache(高速缓存)通讯,这个速度是非常快的~~
这样在芯片外部,利用冯诺依曼结构,节省了外部的PCB走线资源。
在芯片内部,利用哈佛结构提高了CPU访问数据的速度。可谓是两全其美~~
收藏
分享
评分
记录学习中的点点滴滴,让每一天过的更加有意义!
回复
引用
订阅
TOP
返回列表
电商论坛
Pine A64
资料下载
方案分享
FAQ
行业应用
消费电子
便携式设备
医疗电子
汽车电子
工业控制
热门技术
智能可穿戴
3D打印
智能家居
综合设计
示波器技术
存储器
电子制造
计算机和外设
软件开发
分立器件
传感器技术
无源元件
资料共享
PCB综合技术
综合技术交流
EDA
MCU 单片机技术
ST MCU
Freescale MCU
NXP MCU
新唐 MCU
MIPS
X86
ARM
PowerPC
DSP技术
嵌入式技术
FPGA/CPLD可编程逻辑
模拟电路
数字电路
富士通半导体FRAM 铁电存储器“免费样片”使用心得
电源与功率管理
LED技术
测试测量
通信技术
3G
无线技术
微波在线
综合交流区
职场驿站
活动专区
在线座谈交流区
紧缺人才培训课程交流区
意见和建议