基于ARM920T的FLASH的读写（4） Samsung, 寄存器, FLASH, 软件

yuyang911220

3．NAND FLASH 的软件编写和调试


NAND设备的软件调试一般分为以下几个步骤：设置相关寄存器、NAND 设备的初始化、NAND设备的识别、NAND设备的读擦写（带ECC校验 ）


NAND设备的操作都是需要通过命令来完成，不同厂家的命令稍有不同，以下一Samsung公司的K9F1208U0M命令表为例介绍NAND设备的软件编写。

表2
K9F1208U0M
Command Sets

1)
根据2410寄存器定义如下的命令宏

#define NF_CMD(cmd)
{rNFCMD=cmd;}
#define NF_ADDR(addr)
{rNFADDR=addr;}

#define NF_nFCE_L()
{rNFCONF&=~(1<<11);}
#define NF_nFCE_H()
{rNFCONF|=(1<<11);}
#define NF_RSTECC()
{rNFCONF|=(1<<12);}
#define NF_RDDATA()
(rNFDATA)
#define NF_WRDATA(data) {rNFDATA=data;}
#define NF_WAITRB()
{while(!(rNFSTAT&(1<<0)));}


//wait tWB and check F_RNB pin.

2)
NAND 设备的初始化

static void NF_Init(void)
//Flash 初始化

{
rNFCONF=(1<<15)|(1<<14)|(1<<13)|(1<<12)|(1<<11)|(TACLS<<8)|(TWRPH0<<4)|(TWRPH1<<0);

//设置NAND设备的相关寄存器

// 1
1
1
1,
1
xxx,
r xxx,
r xxx


// En 512B 4step ECCR nFCE="H" tACLS
tWRPH0
tWRPH1
   

NF_Reset();
}
static void NF_Reset(void)
//Flash重置

{

int i;
  

NF_nFCE_L();

NF_CMD(0xFF);


//reset command

for(i=0;i<10;i++);


//tWB = 100ns

NF_WAITRB();

//wait 200~500us;

NF_nFCE_H();
}

3)
NAND设备的识别


//#define ID_K9F1208U0M
0xec76
static U16 NF_CheckId(void)

//Id 辨别

{

int i;

U16 id;
   

NF_nFCE_L();

NF_CMD(0x90);

NF_ADDR(0x0);
   

for(i=0;i<10;i++);
//wait tWB(100ns)
   

id=NF_RDDATA()<<8;

// Maker code(K9F1208U:0xec)

id|=NF_RDDATA();

// Devide code(K9F1208U:0x76)
   

NF_nFCE_H();

return id;
}
4)
NAND 的擦操作

static int NF_EraseBlock(U32 block)
{

U32 blockPage=(block<<5);

int i;

NF_nFCE_L();
   

NF_CMD([url=]0x60[/url][q1] );


// Erase one block 1st command


NF_ADDR(blockPage&0xff);



// Page number="0"

NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);


NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);


NF_CMD([url=]0xd0[/url][q2] );

// Erase one blcok 2nd command
   

for(i=0;i<10;i++);
//wait tWB(100ns)//??????


NF_WAITRB();

// Wait tBERS max 3ms.

NF_CMD(0x70);

// Read status command


if (NF_RDDATA()&0x1)
// Erase error

{



NF_nFCE_H();

Uart_Printf("[ERASE_ERROR:block#=%d]\n",block);

return 0;

}

else

{


NF_nFCE_H();

return 1;

}
}

5)
NAND 的读操作

static int NF_ReadPage(U32 block,U32 page,U8 *buffer)

//读Flash
{

int i;

unsigned int blockPage;

U8 ecc0,ecc1,ecc2;

U8 *bufPt=buffer;

U8 se[16];


   

page=page&0x1f;

//32页

blockPage=(block<<5)+page;
//1Bolck包含32页

NF_RSTECC();

// Initialize ECC
   

NF_nFCE_L();


NF_CMD(0x00);

// Read command

NF_ADDR(0);


// Column = 0

NF_ADDR(blockPage&0xff);


//

NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);

// Block & Page num.


NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);

//


for(i=0;i<10;i++);
//wait tWB(100ns)
   

NF_WAITRB();

// Wait tR(max 12us)

for(i=0;i<512;i++)

{


*bufPt++=NF_RDDATA();

// Read one page
}
/************************ECC校验***************************/
   [url=]
ecc0=rNFECC0;
//[/url]利用2410自带的硬件ECC校验


ecc1=rNFECC1;

ecc2=rNFECC2;
[q3]
for(i=0;i<16;i++)

{


se=NF_RDDATA();

// Read spare array

//读页内冗余的16B

}

NF_nFCE_H();



if(ecc0==se[0] && ecc1==se[1] && ecc2==se[2])
//未知使用哪一种软件规范？


{
//比较数据结果是否正确

Uart_Printf("[ECC OK:%x,%x,%x]\n",se[0],se[1],se[2]);


return 1;

}

else

{

Uart_Printf("[ECC ERROR(RD):read:%x,%x,%x, reg:%x,%x,%x]\n",

se[0],se[1],se[2],ecc0,ecc1,ecc2);


return 0;

}


}