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随着电子产品迅速走向随身使用化、功能强大化与低功耗化，半导体技术的持续微缩就没有停止的可能性。然而，这样的演变趋势造就了电子产品‘使用可靠性的设计工作’重要性和电子产品‘功能的设计工作’本身一样重要。
这是因为外在的暂态杂讯干扰能量变得很容易进入电子产品内部，加上电子产品内部的晶片零组件因半导体微缩而变得十分孱弱，从而导致电子产品本身的正常运作就变得易于受到干扰与破坏。
Silicon Labs执行长Tyson Tuttle
而在电子产品‘使用可靠性的设计工作’中，防止静电放电(ESD)与过电压(EOS)轰击所造成的影响与破坏则是设计重心，因为这两项暂态杂讯已经成为现今电子产品的主要杀手了。
因此，我们可以预见的是，2016年的电子产品仰赖ESD/EOS保护元件提供有效保护功能的依赖程度将会比2015年更深。另一方面，对于ESD/EOS保护元件的选择也会完全采用与IC一样的矽制程所设计制作的元件，如瞬态电压抑制二极体阵列(TVS array)，因为这样才能提供与系统功能晶片一样电性属性的保护规格。
换言之，以IC设计技术所开发的ESD/EOS保护元件将是2016年的保护IC主角。举例而言，一个工作电压是1.5V的系统，如果不选择以IC设计技术所设计出的ESD/EOS保护元件，则选择的其他保护元件如果不是由于箝制电压太高而无保护效果——如压敏电阻(Varistor)，就是箝制电压够低但漏电太高而影响系统正常工作——如齐纳二极体(Zener diode)。
而利用IC设计技术开发ESD/EOS保护元件的好处，就是其电性设计存在很大的设计空间，无论是元件的导通电压从1V到200V、元件的箝制电压适用于0.9V到100V工作电压的系统以及元件的寄生电容从0.1pF到100pF等都可以设计出来，完全不受材料本身的特性所限制，这样才能为系统设计者提供一个有效工具来完成其产品的‘使用可靠度的设计工作’。
在下一个杀手级应用出现以前，预计即将出现在2016年电子产品市场且吸引消费者关注的重点将包括产品的‘使用可靠度’这一项，促使系统设计与制造者更加强化其产品的‘使用可靠度设计’，并进一步促使ESD/EOS保护元件得更加普及化。 |
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