AT21CS01串行EEPROM与竞品的对比（2） 安全性, 空间, 延长

yuyang911220

卓越的耐用性
　　EEPROM存储单元有一个由擦写次数决定的使用寿命，被称为耐用性。大多数EEPROM的耐用性为1万次-20万次。为了延长使用寿命，耐用性较低的器件需要使用复杂的“磨损均衡”算法确保所有存储单元能够以大致相同的速度老化。
　　与此相比，AT21CS01的耐用性高达100万次。这一超高耐用性意味着不需要采用任何磨损均衡算法，从而简化了器件，为架构赋予了更好的空间、粒度和安全性。
　　与竞品SEEPROM的对比
　　AT21CS01的所有重要参数均优于竞品。以下各节详细列出了这些参数，并将它们与Maxim DS2431(＄0.7099)、TI BQ2022A(＄0.9639)和Microchip 11A010的参数进行了对比。
　　接口
　　AT21CS01拥有一个单引脚接口（加上接地引脚）。该接口协议在I2C的基础上建模，简化了对现有I2C驱动程序代码的修改。在物理层，各项操作自动同步，从而省却了时钟类信号。竞品拥有各种专有方案，它们都需要定制的驱动程序代码。Microchip的产品还需要一个单独的VCC引脚。

　　

　　功耗
　　AT21CS01拥有同类最低功耗。空闲时，电流只用于监测单线通信活动，并为驱动器件的电容器充电，通常仅为700 nA或更低。

　　

　　耐用性/保留时间
　　耐用性是指一个存储单元在实现额定保留时间的同时可被写入的次数。保留时间是指一个存储单元能够在所有运行条件下存储其状态并被可靠读取的时间长度。这些参数可有效确定器件的使用寿命。

　　

　　* 鉴定测试。
　　**OTP：单次可编程。编程一次后，器件不能被重写。