解读FinFET存储器的设计挑战以及测试和修复方法
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- 男
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解读FinFET存储器的设计挑战以及测试和修复方法
同任何IP模块一样，存储器必须接受测试。但与很多别的IP模块不同，存储器测试不是简单的通过/失败检测。存储器通常都设计了能够用来应对制程缺陷的冗余行列，从而使片上系统（SoC）良率提高到90%或更高。相应地，由于知道缺陷是可以修复的，冗余性允许存储器设计者将制程节点推向极限。测试过程已经成为设计-制造过程越来越重要的补充。
存储器测试始终要面临一系列特有的问题。现在，随着FinFET存储器的出现，需要克服更多的挑战。这份白皮书涵盖：
FinFET存储器带来的新的设计复杂性、缺陷覆盖和良率挑战
怎样综合测试算法以检测和诊断FinFET存储器具体缺陷
如何通过内建自测试（BIST）基础架构与高效测试和维修能力的结合来帮助保证FinFET存储器的高良率
虽然这份白皮书以FinFET工艺（制程）为重点，但其中很多挑战并非针对特定制程。这里呈现的存储器测试的新问题跟所有存储器都有关，无论是Synopsys还是第三方IP供应商提供的或是内部设计的。
FinFET与平面工艺比较
英特尔首先使用了22nm FinFET工艺，其他主要代工厂则在14/16nm及以下相继加入。自此，FinFET工艺的流行 |
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