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完成的元器件型号对采购而言的重要性

完成的元器件型号对采购而言的重要性

  不少公司的采购会发现,拿到工程师提供的BOM中的器件去采购物料时,经常供应商还会问得更仔细,否则就不知道供给你哪种物料,严重时,采购回来的物料用不了。为什么会有这种情况呢?问题就在于,很多经验不够的工程师,没有把器件型号写完整。下面举例来说明,完整的器件型号是怎么样的。

  完整的器件型号,一般都是包括主体型号、前缀、后缀等组成。一般工程师只关心前缀和主体型号,而会忽略后缀,甚至少数工程师连前缀都会忽略。当然,并不是所有器件一定有前缀和后缀,但是,只要这个器件有前缀和后缀,就不可以忽略。

  器件前缀一般是代表器件比较大的系列,比如逻辑IC中的74LS系列代表低功耗肖特基逻辑IC,74ASL系列代表先进的低功耗肖特基逻辑IC,74ASL系列比74LS系列的性能更好。又比如,2N5551三极管和MMBT5551三极管两者封装不同,一个是插件的(TO-92),一个是贴片的(SOT-23)。如果BOM上只写5551三极管,那肯定不知道是哪个。

  忽略前缀的现象一般稍少一点,但是忽略后缀的情况就比较多了。一般来说,后缀有以下这些用处:

  1、区分细节性能

  比如,拿MAXIM公司的复位芯片MAX706来说,同样是706,但是有几种阀值电压,比如MAX706S的阀值电压为2.93V,MAX706T的阀值电压为3.08V,这里的后缀“S”和“T”就代表不同的阀值电压。

  2、区分器件等级和工作温度

  比如TI公司的基准电压芯片TL431,TL431C代表器件的工作温度是0度至70度(民用级),TL431I代表器件的工作温度是-40度至85度(工业级),其中后缀“C”和“I”就代表不同的工作温度。

  3、区分器件封装形式

  比如TI公司的基准电压芯片TL431,TL431CP代表的是PDIP封装,TL431CD代表的是SOIC封装,其中后缀“P”和“D”代表的就是不同封装(“C”代表温度,在上面已经解释)。

  4、区分订货包装方式

  比如,TI公司的基准电压芯片TL431CD,如果要求是按盘装(2500PCS/盘)的采购,那么必须按TL431CDR的型号下单,这里的后缀“R”代表的就是盘装。否则,按TL431CD下单,买回来的可能是管装(75PCS/管)的物料。

  5、区分有铅和无铅

  比如,ON公司的比较器芯片LM393D(“D”表示是SOIC封装),如果要用无铅型号,必须按LM393DG下单,这里的后缀“G”就表示无铅型号,没这个后缀就是有铅型号。

  后缀可能还有其他特殊的用处,总之,后缀的信息不能省略,否则买回来的可能就不是你想要的物料。

  不同的公司的前缀和后缀可能是不同的(也有少数公司的一些前缀后缀一致),这需要参考实际选用厂家的具体情况。

  各国半导体元器件型号的命名方法

  一、中国半导体器件型号命名方法

  半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下:

  第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

  第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

  表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

  表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

  第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

  -普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、

  N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、

  G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、

  A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、

  Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、

  BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

  第四部分:用数字表示序号

  第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。

  二、日本半导体分立器件型号命名方法

  日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。

  通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:

  第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。

  0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、

  1-二极管、

  2三极或具有两个pn结的其他器件、

  3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、

  ┄┄依此类推。

  第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。

  S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

  第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。

  A-PNP型高频管、

  B-PNP型低频管、

  C-NPN型高频管、

  D-NPN型低频管、

  F-P控制极可控硅、

  G-N控制极可控硅、

  H-N基极单结晶体管、

  J-P沟道场效应管,如2SJ—-

  K-N沟道场效应管,如2SK—-

  M-双向可控硅。

  第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。

  两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;

  不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品。

  第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。

  A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

  三、美国半导体分立器件型号命名方法

  美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。

  美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:

  第一部分:用符号表示器件用途的类型。

  JAN-军级、

  JANTX-特军级、

  JANTXV-超特军级、

  JANS-宇航级、

  无—非军用品。

  第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

  第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。

  N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。

  第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。

  多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

  第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:

  JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管

  JAN-军级、

  2-三极管、

  N-EIA注册标志、

  3251-EIA登记顺序号、

  A-2N3251A档。
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