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MB85R1001:下一代大容量非易失性存储器

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silverwolf7516发表于 2004-12-8 14:30 | 只看该作者

MB85R1001:下一代大容量非易失性存储器

容量, 下一代
11月17日讯, Fujitsu Microelectronics America(FMA)公司推出1Mb铁电随机存取存储器(FRAM) MB85R1001(x8位)和MB85R1002(x16位).这是迄今为止所开发的容量最高的FRAM.新的FRAM还具有高速读和写操作,低功耗和长数据保存期.这两种新器件采用最新的0.35um 1T1C单元技术.
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