首页
|
新闻
|
新品
|
文库
|
方案
|
视频
|
下载
|
商城
|
开发板
|
数据中心
|
座谈新版
|
培训
|
工具
|
博客
|
论坛
|
百科
|
GEC
|
活动
|
主题月
|
电子展
注册
登录
论坛
博客
搜索
帮助
导航
默认风格
uchome
discuz6
GreenM
»
消费电子
» 安森美半导体推出全新的中压N沟道MOSFET阵容
返回列表
回复
发帖
发新话题
发布投票
发布悬赏
发布辩论
发布活动
发布视频
发布商品
安森美半导体推出全新的中压N沟道MOSFET阵容
发短消息
加为好友
ebacomms
当前离线
UID
1025209
帖子
219
精华
0
积分
110
阅读权限
20
在线时间
28 小时
注册时间
2014-2-12
最后登录
2017-12-25
注册会员
UID
1025209
1
#
打印
字体大小:
t
T
ebacomms
发表于 2015-5-20 14:15
|
显示全部帖子
安森美半导体推出全新的中压N沟道MOSFET阵容
半导体
2015
年
5
月
19
日
—
推动高能效创新的安森美半导体
(
ONSemiconductor
,美国纳斯达克上市代号:
ON
)
,针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单
N
沟道功率
MOSFET
系列
,进一步扩大其宽广的产品阵容。
这些器件能提供低得
令人难以置信
的
导通电阻
RDS(on)
值,从而将导通损耗降至最低并提升整体工作能效水平。它们还有低至
2164
皮法
(pF)
的门极电容
(Ciss)
,确保保持尽可能低的驱动损耗。
安森美半导体新的
NTMFS5C404NLT
、
NTMFS5C410NLT
和
NTMFS5C442NLT
MOSFET
额定击穿电压为
40
伏
(V)
,最大导通电阻值
(Vgs
为
10 V
时
)
分别为
0.74
毫欧
(mΩ
)
、
0.9
mΩ
和
2.8
mΩ
,连续漏电流分别为
352
安
(A)
、
315 A
和
127 A
。与这些器件相辅相成的
NTMFS5C604NL
、
NTMFS5C612NL
和
NTMFS5C646NL
,额定击穿电压
60 V
,
最高
导通电阻分别为
1.2m
Ω
、
1.5 m
Ω
和
4.7 m
Ω
,而相关的连续漏电流为
287 A
、
235 A
和
93 A
。
40 V
和
60 V
的这两种器件的额定工作结温都高达
175
˚C
,从而为工程师的设计提供更大的热余裕。安森美半导体将
推出
采用更多的电阻值和不同的封装,如
micro8FL
、
DPAK
和
TO220
来扩大此产品线。
安森美半导体功率分立产品副总裁兼总经理
Paul Leonard
说:“
OEM
的工程团队
不断
致力于创建更高能效的电力系统设计,同时占用更少用板空间。我们新加的器件扩大了我们广泛的功率
MOSFET
产品阵容,为客户提供高性能的器件,采用紧凑的、高热能效的封装,帮助他们
达到更高能效的设计
目标。”
封装和定价
NTMFS5C404N
L
、
NTMFS5C410NL
、
NTMFS5C442NL
、
NTMFS5C604NL
、
NTMFS5C612NL
和
NTMFS5C646NL
都采用紧凑的、符合
RoHS
的
SO8FL (DFN-8
)
封装,每
10,000
片批量的单价从
0.42
美元起。
NTMFS5C404NLT-Hires.jpg
(38.38 KB)
下载次数:140
2015-5-20 14:15
收藏
分享
评分
回复
引用
订阅
TOP
返回列表
电商论坛
Pine A64
资料下载
方案分享
FAQ
行业应用
消费电子
便携式设备
医疗电子
汽车电子
工业控制
热门技术
智能可穿戴
3D打印
智能家居
综合设计
示波器技术
存储器
电子制造
计算机和外设
软件开发
分立器件
传感器技术
无源元件
资料共享
PCB综合技术
综合技术交流
EDA
MCU 单片机技术
ST MCU
Freescale MCU
NXP MCU
新唐 MCU
MIPS
X86
ARM
PowerPC
DSP技术
嵌入式技术
FPGA/CPLD可编程逻辑
模拟电路
数字电路
富士通半导体FRAM 铁电存储器“免费样片”使用心得
电源与功率管理
LED技术
测试测量
通信技术
3G
无线技术
微波在线
综合交流区
职场驿站
活动专区
在线座谈交流区
紧缺人才培训课程交流区
意见和建议