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飞思卡尔™半导体(Freescale Semiconductor)
» [求助]9S12XD系列芯片外扩RAM问题
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[求助]9S12XD系列芯片外扩RAM问题
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strongchen
发表于 2007-4-18 14:52
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首先要了解S12X虽然是16位的MCU,但是它的一个地址单元对应的是一个字节。所以,当外扩RAM为8位的结构时,则地址是从ADDR0开始一一对应;而当外扩的RAM为16位的结构时,S12X的ADDR1应连接到外部RAM的ADDR0,S12X的ADDR0则当作UDS,即高数据位选择来使用。
海纳百川 有容乃大
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strongchen
发表于 2007-4-18 15:00
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第二个问题,关于CS0到CS3的使用,你可以看9S12XDP512的数据手册第39页的图,就很清楚了。所有那些MCU内部资源没有占用的地址,都可以用于外部扩展。针对不同的地址区域,就会有相应的CSx的低电平输出。
海纳百川 有容乃大
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strongchen
发表于 2007-4-18 15:07
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V2和V3是文档的版本。看V3部分吧,V2不用管它了。
海纳百川 有容乃大
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