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» 关于Flash擦写问题——S12
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关于Flash擦写问题——S12
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strongchen
发表于 2008-3-11 10:30
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问题1:你说的基本上是对的。一般来说,S12的FLASH分成几个块(称为BLOCK或BANK),程序可以在一个块中执行,对另外的块进行擦写操作。当然,如果程序在RAM中执行的话,就可以对任意FLASH地址进行擦写操作了。可以参看此贴:
http://bbs.eccn.com/dispbbs.asp?boardid=3&rootid=124387&id=124387&star=
海纳百川 有容乃大
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strongchen
发表于 2008-3-11 10:35
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问题2:对于汇编编程来说是这样,读分页地址时,必须先设置PPAGE寄存器然后读0x8000~0xBFFF区的地址。但对于C编程来说,用户只要设定数据地址为分页地址,那么编译器会自动加上对PPAGE的操作,无需用户另外加对PPAGE操作的指令。
海纳百川 有容乃大
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strongchen
发表于 2008-3-11 13:51
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memory窗口的显示与当前PPAGE寄存器的值有关。
可以直接用PPAGE=0x30来对PPAGE寄存器赋值,不一定要用汇编指令。但对PPAGE寄存器的操作一定要小心,因为程序代码的获取和执行也与之有关。最好由编译器自动对PPAGE进行操作。
海纳百川 有容乃大
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