yunfeng

MC68HC908QY4单片机FLASH模拟EEPROM的方法 MC68HC908QY4的FLASH写入10个字节，仅需1ms，是EEPROM的10倍。它的擦除时间为4ms。它的擦写次数为1万次。 MC68HC908QY4的FLASH是以页为单位，每页64字节。它允许写入单个字节，但是擦除时，必须整页擦除。在一页内，可以依次将数据写入FLASH，当写满一页后，再全部擦除整页。比如每次写入4字节数据块，一页可以写16个数据块，写满后，再全部擦除。这样在某个页内对数据块的擦写次数可以提高16倍，即16万次。数据块的大小最好是2的n次方，并且小于32字节。这样可以一页64字节就可以全部利用。如果大于32字节，每写一次，就要擦除整页。 一般的要想对FLASH在应用编程，必须将FLASH的擦写程序拷贝到RAM中执行，但是由于MC68HC908QY4的RAM只有128字节，而且FLASH空间也有限，所以飞思卡尔把对FLASH擦写的程序在出厂前固化到了监控ROM区中。用户如需对FLASH进行编程，只需调用这几个函数即可。 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- ERARNGE 0x2806 //擦除函数入口地址 PGRRNGE 0x2809 //编程函数入口地址 表1 固化在ROM内的函数的入口地址 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 调用编程函数时，这些函数需要访问几个固定RAM区，因此需要先对这几个RAM区赋值。如图2所示。注意：用户的应用程序中的变量不要放在这个区域内。在调用PGRRNGE时，需要编程的FLASH的起始地址需要放在变址寄存器H:X中，所以不需要在RAM区来存储。 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 入口参数 RAM地址 字节数 用途 CTRLBYT $88 1 控制位 CPUSPD $89 1 总线速度（单位：0.25MHz） LSTADDR $8A-8B 2 FLASH中数据块的末尾地址 BFRSTRT $8C => 数据块的大小 数据缓冲区即要编程的数据 表2 固化在ROM内的函数用到的RAM区的地址 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 另外需要注意的是CTRLBYT用来告诉擦除函数时页擦除，还是整体擦除。这里因为用户程序需要保留，所以应该选择页擦除。CPUSPD要告诉这两个函数总线的速度，以保证这些函数在执行时延时准确。在调用这两个函数时，要禁止所有的中断，在调用结束后，再打开中断。下面代码是使用示例，编程环境为codewarriorHC08 V3.1。 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------ #include /* for EnableInterrupts macro */ #include /* include peripheral declarations */ #define FBUS 3200000 //总线速度 #define ERARNGE() {__asm jsr 0x2806;} //跳到0x2806执行 #define PGRRNGE() {__asm jsr 0x2809;} //跳到0x2809执行 #define CTRLBYT (*(volatile unsigned char*) (0x88)) //存放控制位的RAM地址 #define CPUSPD (*(volatile unsigned char*) (0x89)) //存总线速度的RAM地址 //LADDRH，LADDRL存储FLASH编程末尾地址的RAM地址 #define LADDRH (*(volatile unsigned char*) (0x8A)) #define LADDRL (*(volatile unsigned char*) (0x8B)) #define OSC_CONST FBUS/250000 //总线速度（单位：0.25MHz） #define FLASH_TEST_ADDRESS 0xFD40 //存放数据的FLASH页的首地址 #define RECEIVE_LENGTH 2 //编程数据的长度 unsigned char My_Receive[RECEIVE_LENGTH]@0x8C; //存储编程数据的RAM区 void ProgramRange(word *_ini, byte _num) //FLASH编程函数 { word _first; _first = *_ini; //要编程的起始地址 CPUSPD = OSC_CONST; //总线速度 LADDRH = ((_first + _num -1) & 0xFF00) >> 8; LADDRL = ((_first + _num -1) & 0x00FF); //要编程的末尾地址 __asm ldhx _first; //将要编程的地址装入H，X寄存器 PGRRNGE(); //调用编程函数 return; } void EraseRow(word *_row) //FLASH擦除函数 { word _address; _address = *_row; //要擦除的起始地址 CPUSPD = OSC_CONST; //总线速度 CTRLBYT &= 0xBF; //控制字，页擦除 __asm ldhx _address; //将要擦除的地址装入H，X寄存器 ERARNGE(); //调用擦除函数 return; } void main(void) { word address; word *ptr; address = FLASH_TEST_ADDRESS; EraseRow(&address); //擦除地址从FLASH_TEST_ADDRESS开始的一页 My_Receive[0] = 0x18; //要写入FLASH中的数据 My_Receive[1] = 0x08; //要写入FLASH中的数据 //从FLASH_TEST_ADDRESS开始写入RECEIVE_LENGTH个字节 ProgramRange (&address, RECEIVE_LENGTH); EnableInterrupts; /* enable interrupts */ for(;;) { ptr=(word *) (0xFD40)); //把FLASH中刚写入的值读出来 .... } } FLASH模拟EEPROM使用实例 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 上面的例子只是介绍了一种基本的FLASH模拟EEPROM的方法，用户如果想写满整页之后，再擦除，可以采用查询方式，从页的首地址开始，如果FLASH的内容等于$FF，则表示为空，然后在该地址内写入数据，一直到写满。不过此时用户的数据不能等于$FF，否则会发生错误。另外，还可以采用标志位，在保存的数据后面加一个标志位，如果查到标志位，就说明此地址内已有数据，然后继续往后查询，直到最后一个标志位，此时后面的FLASH空间内可以写数据。 如果用户需要保存历史数据，则可以采用两页FLASH来存储数据，一页存放当前数据，另一页存放历史数据。当前数据页存满以后，把数据全部转移到历史数据页中，然后在擦除当前数据页，继续写入新数据。 另外用户的应用程序为了避免意外的被擦除，应该把存放用户程序的FLASH保护起来。寄存器FLBPR可以用来保护从某一特定地址以上的FLASH区。因此用来存放数据的FLASH区应该尽量从地址开始，用户程序放在高地址。FLBPR寄存器的赋值需要对采用FLASH的编程方法写入。 在应用中，系统可能在编程中掉电，或由于其他原因程序中止，这样已经写入的数据可能是无效的或错误的，用户在开发阶段要考虑到这一点，尽量减少这种情况的发生，或者可以考虑采用数据恢复机制。不过由于FLASH的擦写速度快，所以发生这种情况时，它比EEPROM就更具有优势。

yunfeng

Application Note AN2346, “EEPROM Emulation Using FLASH in MC68HC908QY/QT MCUs”
Application Note AN1831, “Using MC68HC908 On-chip FLASH Programming Routines”
Application Note AN2183, “Using FLASH as EEPROM on the MC68HC908GP32”