nishui_2000

EEPROm的擦除还设计到几个寄存器的配置,那几个寄存器不是在EEPROM那章,而在内存地址分配那章
我有这样的例子

nishui_2000

初始化：
void EepromInit(void){
INITEE=17;
asm nop;
MISC=1;
}
擦写：
unsigned char EepromErase(unsigned int *pAddress, unsigned char size)
{
if(ECLKDIV_EDIVLD == 1)
{if((ESTAT_ACCERR == 0) && (ESTAT_PVIOL == 0))
{ while(size)
{ if(ESTAT_CBEIF == 1)
{ *pAddress = 0xFFFF;
pAddress += 2;
ECMD =ERASECMD;
ESTAT_CBEIF = 1;
if((ESTAT_ACCERR == 1) || (ESTAT_PVIOL == 1))
return ERROR;
while (ESTAT_CCIF == 0);
size--; }
}
return NOERROR;
}
else return ERROR;

}
else return ERROR;

}
unsigned char EepromProgram(unsigned int *pAddress, unsigned int *pData, unsigned char size)
{ if(ECLKDIV_EDIVLD == 1)
{ if((ESTAT_ACCERR == 0) && (ESTAT_PVIOL == 0))
{ while(size)
{ if(ESTAT_CBEIF == 1)
{ *pAddress++ = *pData++;
ECMD = PROGCMD;
ESTAT_CBEIF = 1;
if((ESTAT_ACCERR == 1) || (ESTAT_PVIOL == 1))
return ERROR;
while (ESTAT_CCIF == 0);
size--; }
}
return NOERROR;
}
else return ERROR;
}
else return ERROR;

}

nishui_2000

这段时间忙着买车，所以没空上论坛，不好意思，让大家等久了啊
上面的例子肯定好用的，我是用在9S12D64上，但是我想DG128肯定页通用的，直接拷贝过去就可以用
只是有一点忘了粘贴
/*下面为读写EEPROM的配置和操作函数*/
#define MASS_ERASE 0x41
#define ERASECMD 0x40
#define PROGCMD 0x20
#define Address_Start 0x1000 //定义读取或写EEPROM的地址
#define SizeMsg 24 //has been changed
#define ERROR 0xFF
#define NOERROR 0x0

unsigned int write_data[10]; //把这些数据写到EEPROM里面
unsigned int read_data[10]; //从EEPROM中读取的数据放到这个数组里面

nishui_2000

其中，EEPROM的地址定义根据INITEE这个寄存器来定，这个寄存器设定的值不同，实际EEPROM的起始地址页不一样。这个例子我试验过的，很好用

nishui_2000

不好意思，我用的单片机是9S12D64的，但是我想DG128的应该页一样用，
对D64来说，INTEE＝17时，EEPROM的首地址是0x1000,然后这个地址后面的1K都应该是EEPROM空间
改改INTEE值（具体多少我忘了，我试过），可以把EEPROM的地址改为0x2000,然后那个例子也好用的
对DG128来说，它的EEPROM可能大些，所以其地址范围和D64会有少许差别，但我想用法应该是一样的