继续向版主请教关于EEPROM

EEPROM, 版主, 请教

您好:
我已经按您所说的在p&e_reset.cmd 文件中添加了wb 0x12 0x09命令,添加此命令后,在flash窗口中的EEPROM的起始结束地址已更改为0x0000800 -0x0000fff ,但是按照我的工程生成的.s19文件编程后,EEPROM空间仍为BLANK. 而如果我不添加 wb命令,使FLASH窗口中的EEPROM地址为缺省的0x0002000-0x00027ff,并且将我的.s19文件的第一个S1行的地址修改为2000,并更改相应的校验和,就能够写入EEPROM,麻烦您能告诉我为什么 ,我使用的是清华的BDM,使用GDI连接,CommandFiles我已经选择.
我已把我的工程发到您的邮箱中.

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zhangyi65536发表于 2007-1-23 10:25 | 显示全部帖子

在start12.c文件中的init下有INITRM=0x21;INITEE=0x09的重定位,而且重定位是正确的,如果EEPROM显示Programmed ,那么我在重定位地址读出的是正确的.

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zhangyi65536发表于 2007-1-23 12:20 | 显示全部帖子

start12.c文件中有对这3个寄存器的缺省初始化,只要加上相应的#define预编译就可以了,而且在编译结果的汇编指令中可以看到,这3条指令是在leas sp,#$4000之前执行的.我在前面说过,如果我不增加wb命令,而只是手动修改S19文件的EEPROM写入地址到0x2000(FPP文件缺省的EEPROM定位地址)的话,就可以写入EEPROM,程序运行重定位EEPROM后,读出也是正确的.而且我对重定位后的EEPROM进行擦除和写入都是正确的.我唯一做不到的就是在EEPROM中定义象在0x4000处那样定义的CONST数据段,同样的定义,烧写后4000处可看到已编程EEPROM仍然为空.

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