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中化新网讯 日前，美国斯坦福和南加州大学开发出一种设计碳纳米管线路的新方法，应用独特的“缺陷—免疫”模式，生产出一种以碳纳米管为基础的全晶片数字电路，即使在许多纳米管发生扭曲偏向的情况下，整个线路仍能工作。同时，他们还能清除线路中的非必要元素。该方法不牺牲碳纳米管能效，并能与现有的制造方法和设施兼容，易实现商业化应用。
碳纳米管在能效方面比传统的硅基线路高10倍。但目前还无法造出具有完美直线型的纳米管，而扭曲错位的纳米管会导致线路出错，甚至功能紊乱；也无法生产出完全一致的半导体纳米管，如果线路中出现了金属碳纳米管，会导致短路、漏电、脆弱易受干扰。
来源：MRO商城 |
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