总剂量效应 TID
γ光子或高能离子在集成电路的材料中电离产生电子空穴对. 电子空穴随即发生复合、 扩散和漂
移,最终在氧化层中形成氧化物陷阱电荷或者在氧化层与半导体材料的界面处形成界面陷阱电荷,使
器件的性能降低甚至失效. γ光子或高能离子在单位质量的材料中电离沉积的能量称作剂量,单位rad
或Gy.随着剂量的增加,器件性能逐渐降低;当剂量积累到一定程度时, 器件功能失效. 因此, 这种现象
称为电离总剂量效应。
对一个元器件来讲，有三个参数决定了元器件所受辐射的类型及强度：
1，粒子辐射积分通量
单位为粒子/平方厘米。
2，剂量率，它表明了单位时间内材料从高能辐射环境中吸收的能量，其单位为拉德/秒(rad/s)
3，总剂量，它是材料从高能环境中吸收的能量，单位为拉德（硅）（rad/（Si））.
单粒子效应
Single event effect，又称单事件效应。高能带电粒子在器件的灵敏区内产生大量带电粒子的现象。它属于电离效应。当能量足够大的粒子射入集成电路时，由于电离效应（包括次级粒子的），产生数量极多的电离空穴一电子对，引起半导体器件的软错误，使逻辑器件和存储器产生单粒子翻转，CMOS器件产生单粒子闭锁，甚至出现单粒子永久损伤的现象。集成度的提高、特征尺寸降低、临界电荷和有效LED阈值下降等会使执单粒子扰动能力降低。器件的抗单粒子翻转能力明显与版图设计、工艺条件等因素有关。
SEE
单粒子效应
SEL
单事件/粒子闭锁 Single Event Latch-up
SEU
单事件/粒子翻转 Single Event Upset | 
