硅 N 通道增强型 VDMOSFET-CS10N65F A9R

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CS10N65F A9R 是一种硅 N 通道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面工艺，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为 TO-220F，符合 RoHS 标准。特点： 快速切换 低导通电阻(Rdson≤1.0Ω) 低栅极电荷(典型数据：32nC) 低反向传输电容(典型值：7pF) 100%单脉冲雪崩能量测试 应用： 适配器和充电器的功率开关电路。