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如何开始DSP的学习与开发?

如何开始DSP的学习与开发?

针对初学者 学习之前,准备: 1、基础知识。 DSPTI公司设计在玩具上的芯片。目前,用在手机、家电等等。航空、工业控制等等。
2332位的定时器:TIMER012 常用TIMER0. TIMER12是保留的。两个事件管理器:实现捕获功能 简称为EVAEVB。相同功能,命名不同。 2个通用定时器。3个全比较单元。3个捕获单元。1QEP电路。每个事件管理器可以产生2PWM6路互补PWM波形。 假设:PWM1PWM2.当前者低,后者高,前者高,后者低。就是互补波形。 QEP电路:捕获输入电平。获得电机转速信息。故2812用在电力电子。 12位的ADC模块增强型的CAN 两个串行通信:SCI 串行外设SPI 具体看外设:


存储空间: 18K*16RAM 调试开发代码进RAM。但是掉电会丢掉。 128K * 16 FLASH 最终开发完成后,代码进FLASH。掉电后会保存。 F2812FlashC2812Rom 程序大的话,要外扩存储器。 知识产权。128位的密码保护模块。 这个RAM组成: 8+2*4+2*1=18 1Ho 8K*16Ram 2LoL1 24k*16 3MoM1 21k*16 其它:1k*16OTP 4K*16 boot rom 放着启动模式、标准的数学函数库


TMS320*2812结构、资源及性能 32位定点DSP。高性能的CMOS技术。 主频:150MHZ-》指令周期6.67ns 1/150 30MHz的晶振 +两个24PF的电容。输入2812,经过pll锁相环,得到150MHz 低功耗。内核电压1.8vIO口电压:3.3vflash编程电压:3.3v 当我们给IO引脚一个电压。如果》3.3v,会烧坏DSP 内核电压为1.8v,最高主频达不到150MHZ,而是135Mhz 只有电压设计成1.9v才能达到150MHz 上电后,dsp迅速发烫,就说明dsp烧了。


JTAG:14根针。为了防止插反。 插反会烧坏仿真器或板子。 通过板子上拔出空引脚,而在JTAG里面多加一根针。使得无法插入。作为防反差。


2812的封装。 1:BGA封装。179引脚。优点:做的小一点。手工焊接难。 2LQFP176引脚。优点:手工可以焊接。
局域网通信控制器:ecan 支持1Mb/s通信速率。32个可编程的邮箱。可设置成发送或接受。
串行外围设备接口Serial peripheral Interface 可工作在主模式、从模式。通过编程选择。支持125种不同的波特率。可实现全双工。(发送和接受同时) 16级深度FIFO SPI作用:通过SPI扩展设备例如LCD等。
串行通信接口SCI SCIASCIB。双线。采用了发售和接受两条线。实现半双工、全双工。 UART:标准接口。可以设计成RS232RS485. 支持64k种不同通信速率。具有16级深度FIFO


模数转换ADC。模拟转到数字。 Analog to Digital converter12ADC模块。(实际上通常达到9位或10位。软件可以协助提高)可采集2*8=16路信号。采样率:80ns 12.5M 信号范围控制在0-3v。超过3v,会烧坏dsp


烧写flash。左边的key全是ffff。就是密钥。修改后就是密钥。注意:不能全部设置为0.如果全部设置为0,2812flash会被锁死。如果买到的不能lock。说明是二手的。


存储空间: 18K*16RAM 调试开发代码进RAM。但是掉电会丢掉。 128K * 16 FLASH 最终开发完成后,代码进FLASH。掉电后会保存。 F2812FlashC2812Rom 程序大的话,要外扩存储器。 知识产权。128位的密码保护模块。 这个RAM组成: 8+2*4+2*1=18 1Ho 8K*16Ram 2LoL1 24k*16 3MoM1 21k*16 其它:1k*16OTP 4K*16 boot rom 放着启动模式、标准的数学函数库


TMS320*2812结构、资源及性能 32位定点DSP。高性能的CMOS技术。
主频:150MHZ-》指令周期6.67ns 1/150 30MHz的晶振 +两个24PF的电容。输入2812,经过pll锁相环,得到150MHz
低功耗。内核电压1.8vIO口电压:3.3vflash编程电压:3.3v 当我们给IO引脚一个电压。如果》3.3v,会烧坏DSP
内核电压为1.8v,最高主频达不到150MHZ,而是135Mhz
只有电压设计成1.9v才能达到150MHz
上电后,dsp迅速发烫,就说明dsp烧了。
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