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关键字：55纳米 嵌入式闪存技术 非易失性存储器 赛普拉斯
高性价比的SONOS嵌入式非易失性存储器能为下一代智能卡、微控制器和物联网应用带来更高的良率及可扩充产能的工艺技术.
嵌入式非易失性存储解决方案领导者赛普拉斯半导体公司与全球领先的半导体代工厂联华电子公司日前联合宣布，UMC获得了赛普拉斯SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式闪存的知识产权（IP）的使用权，用于其55纳米工艺技术节点。赛普拉斯的SONOS技术能更方便地集成非易失性存储单元，同时具有无与伦比的产能扩充能力，以适应未来需要。主要的应用领域包括可穿戴设备、物联网（IoT）应用、微控制器和逻辑主导（logic-dominated）的产品。
赛普拉斯的55纳米SONOS嵌入式非易失性存储器（NVM）工艺与其他嵌入式NVM方案相比具有显著的优势。要嵌入标准的CMOS工艺，SONOS需要的掩膜层数更少。具体来说，SONOS只需3到4层额外的掩膜，而其他嵌入式闪存技术一般需要11到12层。当添加到基准CMOS工艺制程中时，SONOS 不会改变标准的器件特性或模式，能保持已有的设计IP。SONOS本身具有高良率和可靠的特性、10年的数据保存期、10万次编程/擦写寿命，以及强大的抗软错误能力。UMC在2013年曾验证过赛普拉斯的S65 65纳米 SONOS工艺技术。赛普拉斯和UMC已展示了将SONOS延伸到更小节点的能力，以加速未来IP的开发。
UMC负责特殊技术开发的副总裁S.C. Chien说：“我们拥有众多的半导体IP生态合作伙伴，UMC计划建立更多的增值技术平台，以适应未来低功耗、高集成度IC设计的需求，例如IoT和可穿戴设备。我们很高兴与赛普拉斯合作，为客户带来55纳米SONOS技术的诸多优势，包括稳定的性能、良好的成本和久经考验的高良率。基于UMC在特殊工艺方面已有的成功经验，例如RF, BCD, HV, CIS 和 eFlash等等，我们计划利用赛普拉斯易于集成的55纳米非易失性存储IP来满足不同的应用需求。”
赛普拉斯技术与知识产权事业部副总裁Sam Geha说：“赛普拉斯一直致力于与UMC这样的业界领先企业开展合作，将SONOS IP作为嵌入式非易失性存储的首选方案。55纳米SONOS工艺生逢其时，可以满足UMC各种客户强烈的市场需求。许多新产品均面向快速成长的市场，包括智能卡、银行卡、可穿戴设备和物联网等，均可受益于SONOS的低成本、高性能和高可靠性。”
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