Nitronex开发了45W GaN-on-Silicon RF功率三极管 Nitronex, 功率三极管, 开发

juliguo

用于宽带和商业无线基础设施市场的GaN-on-Silicon RF功率器件领先的生产商Nitronex公司，开发了一款氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT），28V时可提供45W，用于高PAR（功率峰均比）以及脉冲应用。NPT1004使用具有专利的SIGANTIC NRF1工艺设计，一个DC到4 GHz的宽带高功率密度GaN-on-Si HEMT，采用成本有效的热增强型塑料封装，从而为光热负载功率应用提供一个优化的解决方案。