首页 | 新闻 | 新品 | 文库 | 方案 | 视频 | 下载 | 商城 | 开发板 | 数据中心 | 座谈新版 | 培训 | 工具 | 博客 | 论坛 | 百科 | GEC | 活动 | 主题月 | 电子展
返回列表 回复 发帖

CMOS电平和TTL电平的区别

CMOS电平和TTL电平的区别

1.TTL电平:
     输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是 0.4V
2.CMOS电平:
     1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3.电平转换电路:  
     因为TTLCOMS的高低电平的值不一样,所以互相连接时需 要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西!   哈哈.....
4.TTLCOMS电路比较:  
1TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。  
2TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。  
  COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。  
  COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。  
3COMS电路的锁定效应:  
  COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。  
防御措施:  
1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。  
2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。  
3)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。  
4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电源,再开启输入和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS

5.兼容性:
   CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。所以,用TTL电平在条件允许下他们就可以兼容。要注意到他们的驱动能力是不一样的,CMOS的驱动能力会大一些,有时候TTL的低电平触发不了CMOS电路,有时CMOS的高电平会损坏TTL电路,在兼容性上需注意。
注:
1.CMOS场效应管构成,TTL为双极晶体管构成  
2.COMS的逻辑电平范围比较大(515V),TTL只能在5V下工作  
3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差  
4.CMOS功耗很小,TTL功耗较大(15mA/门)  
5.CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。

返回列表