Ziptronix和ＥＶＧ集团展示晶圆与晶圆间混合键合的亚微米精度 集成电路, 存储器, 产品, 技术

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关键字：晶圆   亚微米精度   功率控制   Ziptronix  
2014年5月28日，北卡罗来纳州三角研究园——Ziptronix Inc. 与 EV Group（简称“EVG ”）今日宣布已成功地在客户提供的300毫米DRAM晶圆实现亚微米键合后对准精度。方法是在 EVG Gemini FB 产品融合键合机和 SmartView NT 键合对准机上采用 Ziptronix 的DBI混合键合技术。这种方法可用于制造各种应用的微间距3D集成电路，包括堆栈存储器、高级图像传感器和堆栈式系统芯片 (SoC)。

Ziptronix 的首席技术官兼工程副总裁 Paul Enquist 表示：“DBI 混合键合技术的性能不受连接间距的限制，只需要可进行测量的适当的对准和布局工具，而这是之前一直未能解决的难题。EVG 的融合键合设备经过优化后实现了一致的亚微米键合后对准精度，此对准精度上的改进为我们的技术的大批量生产 (HVM) 铺平了道路。”


新一代3D技术的间距测量预计将会持续多年。微间距混合键合已应用于高性能的3D内存产品，并已宣布大批量生产3D图像传感器。DBI混合键合可用在晶粒或晶圆级；然而，晶圆级键合通过一次键合所有晶粒实现了巨大的成本优势。由于 大部分DBI 混合键合在晶圆级进行处理，故具有低总拥有成本的优势。


EVG 的执行技术总监 Paul Lindner 表示：“亚微米精度对于在更广泛应用的大批量生产中实现微间距连接是至关重要的。随着行业推动3D集成电路的发展，我们与 Ziptronix 联合开发生产方案，共同努力为客户提供惊人的附加价值。”


Ziptronix 直接键合互连 (DBI) 混合键合是一种导体/电介质键合技术，包括各种金属/氧化物和/或氮化物的组合，不需使用粘合剂，是目前市场上最合适量产的技术。此技术能够对铜/铜或其他金属键合实现强力、常温绝缘键合、低温导电键合和微间距互连，因为在绝缘和导电表面之间均进行键合，故能有效键合整个衬底界面区域。


EVG 用于通用对准的 SmartView NT自动键合对准系统提供了一种晶圆级的面与面之间对准的专有方法，这是在多晶圆堆叠中达到先进技术所需精度要求的关键。除了改善 SmartView NT 键合对准机的对准功能以达到亚微米级的精度，EVG 进行优化，使得表面可以同时为键合、电气连接性和机械强度做好准备。


公司将于 2014 年 5 月 27-30 日在佛罗里达州布纳维斯塔湖举行的 2014 年电子元件与技术会议 (ECTC 2014) 上展出这项技术。要了解更多有关 Ziptronix DBI 混合键合的信息，请参观 121 号展位，若要了解更多有关 EVG 融合键合设备解决方案的信息，请参观 413 号展位。