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Vishay新MOSFET可提供18m欧姆导通电阻保持低栅极电荷
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wxg1988
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wxg1988
发表于 2013-4-26 11:00
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Vishay新MOSFET可提供18m欧姆导通电阻保持低栅极电荷
电阻
日前,
Vishay
Intertechnology, Inc.宣布,发布新款采用热增强型PowerPAK SO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率
MOSFET
---
SiR872ADP
,将该公司的
ThunderFET
技术的电压扩展至150V。
Vishay
Siliconix
SiR872ADP
在10V和7.5V下的
导通电阻
低至18m欧姆和23m欧姆,同时保持低栅极电荷,在10V和7.5V下的典型电荷为31nC和22.8nC。
今天发布的器件适用于DC/
DC转换器
、DC/AC
逆变器
,以及通信砖式电源、太阳能微
逆变器
和无刷直流电机的升压
转换器
中的初级侧和次级侧的同步整流。在这些应用当中,
SiR872ADP
的
导通电阻
比前一代器件低45%,可降低传导损耗,提高系统的整体效率。
Vishay
新
MOSFET
可提供18m欧姆
导通电阻
SiR872ADP
在10V和7.5V下
导通电阻
与栅极电荷的乘积分别为563mΩ-nC和524mΩ-nC,该参数是DC/
DC转换器
应用中表征
MOSFET
的优值系数(FOM)。器件的FOM可减低传导和开关损耗,从而提高总的系统效率。这款
MOSFET
的性能高于很多前一代器件,有可能减少总的元器件数量,并简化设计。
SiR872ADP
进行了100%的Rg和UIS测试,符合JEDEC JS709A的无卤素规定,符合RoHS指令2011/65/EU。这款器件属于近期发布的100V SiR846ADP和SiR870ADP,及80V SiR826ADP
ThunderFET
MOSFET
之列,让设计者可以从采用PowerPAK SO-8封装的多款中等电压器件中进行选择。借助
ThunderFET
、TrenchFET Gen IV和E/D系列
MOSFET
,
Vishay
能够满足所有功率转换应用的需求。
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