飞兆半导体推出1200 V 沟槽型场截止IGBT 提供更快速的开关性能 半导体, 开关

我是MT

高压IGBT可降低高功率太阳能逆变器、UPS和电焊机中的总功耗、电路板尺寸和整体系统成本

21ic讯 飞兆半导体推出一系列1200 V沟槽型场截止IGBT。以硬开关工业应用为目标，如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电焊机，此新型IGBT 系列将帮助电源工程师在其设计中实现更好的效率和可靠性。
这种新型1200 V场截止IGBT系列 具有1.8 V的VCE(SAT)，其远低于以前的快速开关NPT IGBT，可最大程度地降低导通损耗。这些新器件具有1200V快速开关IGBT市场中提供的最低VCE(SAT) 额定值之一。开关损耗较低， EOFF 值在30 μJ/A以下。所有器件均包含为快速开关优化的相同封装的二极管。

“需要创新的新型功率电子技术帮助光伏逆变器生产商降低成本、提高效率并增强可靠性。”工业功率系统总监MH Lee先生说。“我们的1200 V沟槽型场截止IGBT系列可帮助客户提高其太阳能逆变器设计中的能效和可靠性，并帮助制造商满足政府法规和最终客户不断节能的需求。”
1200 V 场截止沟道IGBT系列还允许设计人员在比竞争解决方案更高的开关频率下操作器件，从而有助于减小电容的尺寸和成本以及电路中的电感组件。这样可实现具有较高功率密度、较小尺寸和较低物料成本的系统设计。
此IGBT系列100%经过在额定电流四倍的电流下箝位电感开关测试，以保证较大的安全工作区(SOA)。
这些产品采用具有20mm引脚长度的较小TO247封装(与之前系列的TO264封装相比)，并提供15、25和40 A的额定电流。
特点与优势：
低饱和电压： VCE(SAT) = 1.8 V @ 额定集电极电流(Ic)
• 高速开关： • 低 EOFF = 6.6μJ/A
宽SOA(100%电感负载开关测试;ILM = 4倍Ic额定值)
易于并联运行(正温度系数)
Tj = 175°C(最大结温)
高输入阻抗
符合 RoHS 标准
飞兆半导体的沟槽型场截止IGBT提供业界领先的技术，可应对当今设计中遇到的能效和外形尺寸挑战。这些应用都是飞兆半导体节能型功率模拟IC、功率分立式器件和光电子器件解决方案的一部分，而这些解决方案可在功率敏感型应用中实现最大限度的节能。