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磁阻式随机存取存储器(MRAM)是一项创新的存储器技术,可以替代当今很多的半导体存储器技术。MRAM将eSRAM的速度和Flash的非易失性整合到一个芯片上。MRAM采用磁矩(而非电荷)来确定存储器位单元的开关状态。 它可单独代替片内多种的存储器。 从而能够更快地实现针对新一代存储器密集型产品的更经济的解决方案。
MRAM是一项非易失性存储器技术,可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新。MR2A16A是那些需要永久存储和快速读写关键数据应用的理想存储器解决方案。
MRAM 主页 http://www.freescale.com.cn/Products/MRAM.asp
MR2A16A 产品网页 http://www.freescale.com.cn/Products/MRAM/MR2A16A.asp
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