一、DM6446的启动模式
系统加电或复位后，CPU都要从某个预定的地址上取得指令，执行Bootloader程序。DM6446处理器ARM端（ARM-Side）提供两种启动模式：
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从异步的外部存储器接口AEMIF（Asynchronous External Memory Interface）/NOR Flash引导启动
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从ARM内部ROM（AIROM，ARM Inner ROM）引导启动
这两者由Boot Selection（BTSEL[1:0]）引脚的设置状态决定。如下：
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BTSEL[1:0]＝01时，系统加电或复位后ARM处理器从AEMIF或NOR Flash的零地址（0x02000000）执行引导启动代码，这些代码是由用户生成并烧写的，即从外部存储器启动
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BTSEL[1:0]≠01时，系统加电或复位后，ARM处理器从AIROM的地址（0x00004000）执行RBL（ROM Boot Loader），即从片内ROM的RBL开始运行
而RBL程序根据BTSEL[1:0]状态（BTSEL[0-3]管脚的电平）来区分不同引导启动模式：
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BTSEL[1:0]＝00，NAND Flash引导启动模式：发送控制信息到UBL（User Boot Loader），并从Flash中拷贝UBL到ARM的内部RAM（AIRAM），并转到UBL执行
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BTSEL[1:0]＝11，UART引导启动模式：通过UART下载串口UBL并发送控制信息到用户软件
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BTSEL[1:0]＝10，保留未用
因此，DM6446在上电或复位后，存在四种启动方式。如下图。
DM6446引导启动流程
二、AIROM启动模式
AIROM启动模式受两个限制：1）、AIRAM的空间只有16KB；2）、NAND Flash不支持XIP（eXecute-In-Place，片内执行）技术。因此，AIROM启动模式可以划分为三个阶段：
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Stage1：加电或复位后，执行RBL。RBL是TI内嵌的程序，其内部实现不向用户公开；但提供了一个编程接口，以便设计人员据此编写UBL代码。
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Stage2：将UBL拷贝到AIRAM中并执行。UBL被烧写在NAND Flash的从Block1开始的5个存储块上，因此UBL的尺寸小于AIRAM的空间大小，即14K。
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Stage3：U-Boot。它被烧写在NAND Flash中的UBL后，由UBL读到DDR2中执行。
NAND Flash启动阶段划分
注：虚线部分为NAND引导启动核心
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