2.2.1乾膜介紹
乾膜(dry film)的構造見圖8.1，1968年由杜邦公司開發出來這種感光性聚合物的乾膜後，PCB的製作就進入另一紀元，到1984年末杜邦的專利到期後日本的HITACHI也有自己的品牌問世。爾後就陸續有其他廠牌加入此一戰場。
依乾膜發展的歷史可分下列三種Type：
－溶劑顯像型
－半水溶液顯像型
－鹼水溶液顯像型
現在幾乎是後者的天下，所以本章僅探討此類乾膜。
A. 乾膜之組成
水溶性乾膜主要是由於其組成中含有機酸根，會與強鹼反應使成為有機酸的鹽類，可被水溶掉。其組成見圖8.1 水溶性乾膜最早由Dynachem 推出，以碳酸鈉顯像，用稀氫氧化鈉剝膜，當然經不斷改進才有今日成熟而完整的產品線。
B. 製程步驟
乾膜作業的環境，需要在黃色照明，通風良好，溫濕度控制的無塵室中操作，以減少污染增進阻劑之品質。其主要的步驟如下：
壓膜─停置─曝光─停置─顯像。
2.2.2 壓膜(Lamination)作業
A. 壓膜機 壓膜機可分手動及自動兩種，有收集聚烯類隔層的捲輪，乾膜主輪，加熱輪，抽風設備等四主要部份，進行連續作業，其示意見圖8.2
一般壓膜條件為：
壓膜熱輪溫度 120°±10℃
板面溫度 50±10℃
壓膜速度 1.5~2.5米／分
壓力 15-40 psi
a. 傳統手動壓膜機須兩人作業，一人在機前送板，一人在機後收板並切斷乾膜，此方式用在樣品、小量多料號適合，對人力、物料的耗用浪費頗多。
b. 自動壓膜機市面上HAKUTO，CEDAL，SCHMID等多種廠牌，其機構動作在板前緣黏壓乾膜方式及壓膜後緣切膜動作多有不同，但都朝產速加快，節省乾膜以及黏貼能力上在改進。
c. 國內志勝幾年前開發自動壓膜機頗為成功國內多家大廠均有使用。
d. 乾膜在上述之溫度下達到其玻璃態轉化點而具有流動性及填充性，而能覆蓋銅面。但溫度不可太高，否則會引起乾膜的聚合而造成顯像的困難。壓膜 前板子若能預熱，可增強其附著力。
e. 為達細線路高密度板之高品質，必須從環境及設備上著手，乾膜之壓膜需要在無塵
室中進行（10K 級以上），環境溫度應控制在
23°±3℃，相對濕度應保持50％RH±5％左右。
操作人員也要帶手套及抗靜電之無塵衣帽。
2.3 曝光 Exposure
2.3.1 曝光機種類
－手動與自動
－平行光與非平行光
－LDI雷射直接暴光
A. 手動曝光機，是將將欲曝板子上下底片以手動定PIN對位後，送入機台面， 吸真空後曝光。
B. 自動曝機一般含Loading/unloading，須於板子外框先做好工具孔，做初步定位再由機台上之CCD，Check底片與孔的對位狀況，並做微調後入曝光區曝光。依目前的精密須求程度，不以視覺機器自動對位，恐怕做不到好品質的板子。
C. 如何量測及評估曝光機的平行度：
－定義：從平行度(collimate)字面的意思就是使直向行進，而從光的眼光而言則是讓光行進同時垂直於照射面。
圖8.3是平行光與非平行光之比較。
－平行度的影響：而研判平行直進的方法有兩個值可供參考，平行羊角 (Collimate Half Angle)及偏斜(Declination Angle)。此二值可大略判斷 曝光機的平行度及曝光可能造成的側向偏移，也因此若使用非平行曝光機 曝光其影像會有偏料及底部側向顯像的問題。
－量測方法及工具：
一般量測平行度的方法是用一種叫平行度像機(Collimation Camera) 其量測方式是以此工具置於感光紙或感光物上曝光，之後再量偏移度，其示意圖如下（圖8.4(a，b)）：
D. 非平行光與平行光的差異，平行光可降低Under-Cut。其差異點，可見圖8.5，顯影後的比較。做細線路(4mil以下)非得用平行光之曝光機。
E. 另有一種LDI(Laser Direct Imaging)鐳射直接感光之設備與感光方式。是利用 特殊之感光膜coating在板面，不須底片直接利用鐳射掃描曝光。其細線可做到2mil以內，利用多beam方式18in×24in的板子，已有號稱曝光時間僅30秒。
2.3.2 作業注意事項
A. 偶氮棕片的使用
手動曝光因仰賴人目視對位，因此棕片是有必要的，但自動曝光機由機器負責對位所以一般黑白底片即可。棕片的壽命較短。
B. 能量的設定
曝光機中有光能量之累積計算器，光能量子 (以焦耳或毫焦耳為單位）是指光強度（瓦特或毫瓦特）與時間的乘積，即
mili - Joule = mili Watt ╳ Sec. 焦耳＝瓦特╳秒
曝光機上有可以調動的光能量數字鍵，並有測光強度之裝置，當設定某一光能量數字後即可做定能量之曝光，每當光源紫外燈老化而光強度衰減時，該設定系統即會自動延長時間以達到所需的光能量。定期以"Photometer" 或"Radiometer"做校正工作。
C. Stouffer 21 Step Tablet
Stouffer 21 step tablet是IN-process監測曝光顯像後的條件是否正常，見圖8.6。它是放於板邊與正常板一樣曝光，停置及顯像後，其21格上之乾膜殘留有顏色漸淡，至完全露銅的變化，最重要視其已顯像及仍殘存板面之交界是落於第幾格。一般標準是8~10格，Follow各廠牌所給的Data Sheet。
D. 吸真空的重要
非平行光的作業中，吸真空的程度是影響曝光品質的重大因素。因底片與膜面有間隙會擴大under-cut。一般判斷貼緊程度是從光罩上之Mylar面出現的 牛頓環(Newton Ring)的狀況，以手碰觸移動，若牛頓環並不會跟著移動，則表吸真空良好。手動作業，時常作業員尚要以"刮刀"輔助刮除空氣，此小動作事實上極易影響對位及底片的壽命。平行光源則此問題可降至最低。
E. 對位
對於自動曝光機來說，偏位不是不問題，只要評估好設備的製程能力以及維護工作底片的準確度即可，但手動曝光機作業影響對準度的變數就很多：
<1> PIN孔大小的選擇
<2> 上製程通孔電鍍的厚度分析
<3> 孔位準確度
<4> 底片套板的方式
<5> 人目視誤差
上述僅舉常見因素，各廠應就產品層次來提升乾膜作業的製程能力。
F. 靜置
曝光後板子須問隔板置放10~15分鐘讓吸收UV能量後的resist Film聚合更完全。
G.高強度的UV光對細線路而言是十分重要的，因為所有的光阻都含有遮蔽劑 (Inhibitor)，而此遮蔽劑遇UV光時會在數秒內大量消耗。因此如果用弱光曝 光，則須用較長時間來達到必須的能量，如此有較多的時間讓未見光區的遮蔽劑擴散至曝光區，如此只要有一點折光或散射就會形成聚合，產生殘膠顯影不潔等問題。因此使用強光曝光機有助於細線的製作，有殘膠並不是代表只是顯影不潔或水洗不良的問題。
一般而言5mW/cm2能量密度對一般的線路已有不錯的效果，如果要有更佳的解析度則高一些的光強度有助於改善之。
H. 影響解析度的因子互動關係有：(I)曝光時間長短(2)未曝光區遮蔽劑的量 (3)散射折射光的多少。其中第二項是來自供應商的調配較無法調整，第(1)項可考慮控制光強度來改善其品質，第(3)項則使用平行曝光機及加強曝光前真空作業會有幫助。
溶液配方 １－２％之碳酸鈉（重量比）
溫度 30 +_2 ℃
噴壓 15－20 PSI
水洗 27°－29℃，水壓40 PSI
pH 10.5 －10.7，
Break point 50~70% Auto dosing
2.4.2作業注意事項
A. 顯像是把尚未發生聚合反應的區域用顯像液將之沖洗掉，已感光部份則因已發生聚合反應而洗不掉仍留在銅面上成為蝕刻或電鍍之阻劑膜。注意在顯像前不可忘記把表面玻璃紙撕掉。
B. 顯像點Break point ( 從設備透明外罩看到已經完全顯現出圖樣的該點的距 離稱之)應落於50~70%間，不及，銅面有scun殘留，太過，則線邊有膜屑或 undercut過大。最好有自動添加系統(auto-dosing).另外噴灑系統設計良否也會影響顯像點.
C. 顯像良好的側壁應為直壁式者，顯像不足時容易發生膜渣(Scum) 造成蝕刻板的短路、銅碎、及鋸齒突出之線邊，顯像機噴液系統之過濾不良時也會 造成此種缺點。檢查Scum的方法可用５％之氯化銅溶液(Cupric Chloride CuCl 2) 或氯化銨溶液浸泡，若銅面上仍有鮮亮的銅色時，即可判斷有 Scum殘留。
D. 顯像完成板子切記不可疊放，須用Rack插立。
至於精密線路板之乾膜壓膜及曝光區則10，000級已夠。
B. 無塵室品質之控制有三要件，防止外界塵埃之進入、避免內部產生、及清 除內部既有之塵量；需在環境系統上加裝進氣之過濾設備、工作人員穿戴不易起塵之工作服、鞋、手套、頭罩。室內裝配則應採表面平滑的牆板、無縫地板、氣密式之照明及公共設施、進出口之Air Shower，室內送風則採水平層流(Laminar Flow)及垂直層流方式以消除氣流的死角，避免塵埃的 聚積。
C. 乾膜區之照明為黃色光源以避免乾膜於正式曝光前先感光，此種黃光波長必須在500 n m(naro-meter為10 m，或5000A)，比500nm短的光源中含有紫外線而導致乾膜之局部感光，市面上有金黃色日光燈管出售，在一般日光燈外加裝橘黃色燈罩也可使用。
B. 無電解銅在Additive製程方面是極為重要的尤其是高品質高選擇性的無電解銅，是高密度高信賴度板使用該製程的必要條件。然而一般無電解銅析出速率約為2~2.5μm/Hr其析鍍時間相對可縮短為2~4分之一。
C. 對無電解銅而言，抗鍍光阻的剝離是最嚴苛的問題，由於光阻會操作在70℃的鹼性化學銅液中，介面間的應力及光阻膨鬆是被認為剝離的主要動力。化學銅反 應產生的氫氣，原有的薄氧化銅表層因還原反應而失去鍵結力，都是剝離的可能原因。
D. 較有效的防止剝離方式可以考慮對表面施以不同的金屬處理。底銅的化學電位相對於氫為-600mV，氧化銅相對於氫的還原位為-355mV，由於還原電位高於電化反應因此還原反應極易產生剝離。若要保持良好的鍵結力就必須找一個更低電位的金屬覆於其上以防止反應。Zn/Sn/Ni都是有機會的金屬，以鋅而言經實驗證明適當的覆蓋厚度可得到承受浸泡化學銅40Hr仍不會剝離的結合效果，其經驗厚 度約為0.5±0.1mg/cm2，金也是可選擇加強結合力的金屬。
E. 傳統的光阻是以溶劑型為主，但因環保問題而使業界對配方有所調整，加入親水性物質，光阻可使用水溶液顯影。但一般水溶性光阻由於是鹼性顯影系統，用化學銅抗電鍍將因親水分子過多而產生膨鬆問題。因此有新系統發展出來，親水分子調整至最佳狀況後以低鹼性鹽及高揮發點溶劑組合成顯影液，顯影液之最大成份仍為水，如此不會有燃燒的危險。而此光阻劑可承受約40小時化學銅浸泡不致有問題，只是光阻難免有溶出物會影響鍍液析出速度及鍍出品質，因此其配方是必須考慮以減少影響為目標。一般負型光阻其本身會吸收光源能量，因此改善光阻透光性以獲得良好筆直的壁面，是光阻改善的方向。有部份光阻已可作到光阻厚度76μm厚度以下，30μm線寬間距的解析度。
F. 電鍍過程中如何防止雜質顆粒的產生，對細線路而言將是一大課題。對Semi additive製程而言，電鍍若先使用高溫鍍銅(化學或電鍍)，再以較冷的鍍錫槽 鍍保護層，由於光阻會因熱脹冷縮而在銅線路與光阻頂端產生約1μm的空隙，因此鍍錫時線邊緣也會大部份被錫鍍上，因此可加強保護效果獲得更好的線路。
G. 薄膜技術也可用於細線製程，一薄層Cr-Cu底層金屬以濺鍍鍍於底材上，以22 μm厚的光阻作業，以Semi additive製程化學銅浸約4Hr，去除光阻後由於底 層薄膜很薄，因此用Ion milling即可，不必作錫保護。
H. Fully additive是另一種方式，其作業是以UV型乾膜式增黏劑(Adhesive)壓覆 於樹脂面，UV聚合後鑽孔粗化再以活化劑(觸媒)覆於表面，其後以光阻定義出 備鍍區，為使光阻能抗鹼可用UV光將光阻固化，再以化銅填入備鍍區，其後光 阻本身也保留成板面的一部份。觸媒一般多用錫鈀膠體，若附以適當厚度既可啟始化銅反應同時能保有一定絕緣電阻。
