电源电压
CMOS4000系列集成电路的工作电压范围为3—18V，国产的COO0系列集成电路的工作电压为7—15V。
静态电流
| CMOS4000系列不同工作环境下的静态电流 | ||||||
| 类型 | 工作电压 | 静态电流 | ||||
| -55℃ | -40℃ | +25℃ | +85℃ | +125℃ | ||
| 门电路 反相器 | 5 | 0.25 | 0.25 | 0.25 | 7.5 | 7.5 |
| 10 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 15 | 15 | |
| 15 | 1 | 1 | 1 | 30 | 30 | |
| 20 | 5 | 5 | 5 | 150 | 150 | |
| 触发器 缓冲器 驱动器 组合门 | 5 | 1 | 1 | 1 | 30 | 30 |
| 10 | 2 | 2 | 2 | 60 | 60 | |
| 15 | 4 | 4 | 4 | 120 | 120 | |
| 20 | 20 | 20 | 20 | 600 | 600 | |
| 中规模 器件 | 5 | 5 | 5 | 5 | 150 | 150 |
| 10 | 10 | 10 | 10 | 300 | 300 | |
| 15 | 20 | 20 | 20 | 600 | 600 | |
| 20 | 100 | 100 | 100 | 3000 | 3000 | |
CMOS4000输入电压特性 CMOS最小逻辑“1”的输入电平为70%电源电压，最大逻辑“0”的输入电平为30%的电源电压，采用较高的电源电压可以提高噪声容限。CMOS的转移特性在-55—125℃范围内受温度的影响很小。 带缓冲级的CMOS门电路的转移特性至少是由三级转移特性想乘的结果，因此，转换区域很窄，形状接近理想矩形，并且不随输入端数而变化，噪声容限保证值达30%电源电压以上，典型转移特性如图1所示，不带缓冲输出门电路噪声容限保证值达20%电源电压，典型转移特性如图2所示。 |
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CMOS4000输出特性 CMOS系列集成电路的输出特性与温度有关，特别是在电源电压大于10V时比较明显，输出电流与电源电压的关系如图3所示。当温度为25℃以上时，输出驱动电流按-0.3%/℃的负温度系数下降。CMOS输出拉电流与电源电压的关系如图4。 |  |
| CMOS4000带缓冲反相器输出特性参数 | ||||||
| 参数名称 | 测试条件 | 参数 | 单位 | |||
| 输出电压(V) | 输入电压(V) | 电源电压(V) | 最大值 | 最小值 | ||
| 输出低电平电流 | 0.4 0.5 1.5 | 0/5 0/10 0/15 | 5 10 15 | 0.51 1.3 3.4 | mA | |
| 输出高电平电流 | 4.6 9.5 13.5 | 0/5 0/10 0/15 | 5 10 15 | -0.51 -1.3 -3.4 | mA | |
| 输出低电平电压 | 0/5 0/10 0/15 | 5 10 15 | 0.05 0.05 0.05 | V | ||
| 输出高电平电压 | 0/5 0/10 0/15 | 5 10 15 | 4.95 9.95 14.95 | V | ||
| 输出状态 转换时间 | CL=50pF RL=200k | 5 10 15 | 200 100 80 | nS | ||
CMOS4000极限参数 | ||||||||||||||||||||||||
| CMOS4000极限参数 | ||
| 参数名称 | 极限值 | |
| 最大直流电源电压 最大输入电压 最小输入电压 | +18V 电源电压+0.5V—-0.5V | |
| 最大允许功耗 | 陶瓷扁平封装(14,16引脚) (环境温度=-55—100℃) | 200mW |
| 陶瓷双列直插封装(14,16引脚) (环境温度=-55—100℃) (环境温度=100—125℃) | 500mW 200mW | |
| 塑料双列直插封装(14,16,24引脚) (环境温度=-55—60℃) (环境温度=60—85℃) | 500mW 200mW | |
| 工作温度范围 | 陶瓷扁平封装 陶瓷双列直插封装 塑料双列直插封装 | -55—100℃ 155—125℃ -40—85℃ |
| 存储温度 | -65—150℃ | |
.CMOS4000工作速度 典型的CMOS门电路传输延迟时间分别小于300nS(VDD=5V),150nS(VDD=10V),110nS(VDD=15V),测试时输出端接120Ω上拉电阻，输出状态从一种逻辑状态转换成另一种逻辑状态所需要的时间（输出状态转换时间），分别小于100nS(VDD=5V),70nS(VDD=10V),50nS(VDD=15V),测试时逻辑低电平以10%电源电压、逻辑高电平以90%电源电压为准，同时输出端接120Ω上拉电阻。CMOS传输延迟时间大约按+0.25%/℃的温度系数增大，4011的传输延迟时间和输出状态转换时间与负载电容的关系如图4和图5所示。 |
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| CMOS4000极限参数 | ||
| 参数名称 | 极限值 | |
| 最大直流电源电压 最大输入电压 最小输入电压 | +18V 电源电压+0.5V—-0.5V | |
| 最大允许功耗 | 陶瓷扁平封装(14,16引脚) (环境温度=-55—100℃) | 200mW |
| 陶瓷双列直插封装(14,16引脚) (环境温度=-55—100℃) (环境温度=100—125℃) | 500mW 200mW | |
| 塑料双列直插封装(14,16,24引脚) (环境温度=-55—60℃) (环境温度=60—85℃) | 500mW 200mW | |
| 工作温度范围 | 陶瓷扁平封装 陶瓷双列直插封装 塑料双列直插封装 | -55—100℃ 155—125℃ -40—85℃ |
| 存储温度 | -65—150℃ | |
.CMOS4000工作速度 典型的CMOS门电路传输延迟时间分别小于300nS(VDD=5V),150nS(VDD=10V),110nS(VDD=15V),测试时输出端接120Ω上拉电阻，输出状态从一种逻辑状态转换成另一种逻辑状态所需要的时间（输出状态转换时间），分别小于100nS(VDD=5V),70nS(VDD=10V),50nS(VDD=15V),测试时逻辑低电平以10%电源电压、逻辑高电平以90%电源电压为准，同时输出端接120Ω上拉电阻。CMOS传输延迟时间大约按+0.25%/℃的温度系数增大，4011的传输延迟时间和输出状态转换时间与负载电容的关系如图4和图5所示。 |
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