晶体管低频放大器的基本概念 放大器, 晶体管

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晶体管低频放大器的基本概念各种类型低频放大器，主要特点是，工作频率范围宽，放大信号的中心频率从几十赫至几百千赫；这类放大器通常处于低频多级放大器的前几级，故称前置放大器，它的输入信号幅度很小，约几到几十毫伏或甚至更小，所以属于小信号放大器。
1、分类由于放大器的用途十分广泛，为了适用不同领域要求，其种类甚多，表5.2-1为放大器分类表。
表5.2-1  放大器分类表

2、主要性能参数在分析放大器性能时，通常把具体放大画成等效方框图，如图5.2-1所示。放大器性能参数示于表5.2-2。

图5.2-1  放大器等效方框图
表5.-2-2  放大器性能参数

3、偏置稳定电路晶体管放大器的线性放大特性与静态工作点的位置及其稳定性有密切关系，而静态工作点又是由偏置电路决定的，所以稳定偏置电路是放大器的重要方面，当温度等外界因素变化时，严格地讲，几乎所有的晶体管参数都要发生变化，特别是对电流放大系数B、集基极反向饱和电流ICBO及基--射极门限电压UBEO的影响更为显著。这三个参数随着温度的变化称为温度漂移，即分别是B的温度漂移、ICBO的温度漂移和UBEO的温度漂移，详细分析见参考文献（5）。温度漂移最终表现在IC的变化上，因此稳偏置电路应使IC保持不变，稳定的原理常采用负反馈原理和补偿原理。表5.2-3示出常用的几种偏置电路。


4、基本分析方法晶体管低频小信号放大器是在晶体三极管各电极静态工作电压、电流正确设置的基础上，实现对输入信号的线性放大。因此对放大器分析分为两方面，一是直流分析，就是根据电子器件和电路元件参数，求出放大器的直流电压和电流，即输入端直流电流IBQ（输入直流电压VBEQ通常视为数一硅管为0.7V，锗管约为0.2V）和输出端直流电压UCEQ、直流电流ICQ，这三个量对应输出特性曲线上一个点称为直流（或静态）工作点；另一是交流分析（或称动态分析），即在输入信号作用下求出静态工作点上迭加的各极信号电压和电流，并在此基础上计算放大性能指示。
（1）直流分析 由于晶体管是非线性器件，精确地进行直流分析是比较复杂的。目前工程上多采用图解法和近似估算法，两种方法都建立在确定放大器直流道路的基本上，以下简要的说明近似估算法（图解法略）。
在近似估算时，常把晶体管的UBE近似看成已知的常数，如果已知晶体管的B、ICBO和电路的元件参数，则根据放大器的直流通路和晶体管的直流电流传输方程，可以估算出放大器的静态工作点。图5.2-3示出固定偏置共发放大器的直流通路。

图5.2-3固定偏置共发放大器的直流通路
静态工作点的表示式为

（2）交流分析 放大器建立稳定偏置电路之后，便可进行交流分析，首先根据实际放大电路画出有信号流通的交流通路。晶体三极管在小信号作用下的分析有图解法和微变等效电路两种方法。图解法是利用晶体管输入和输出特性曲线，通过傻羔分析放大器的性能，它能直观、全面地表明三极管放大的工作过程，并能计算放大器的一些指标。但这种方法比较适合大信号分析，当输入信号足够小时会引起较大误差，所以工程上用的最多是微变等效电路分析法。
晶体管三极管小信号等效电路，根据推导方法不同分为两类：一是对晶体管物理结构及放大过程进行模拟而导出的等效电路，其中应用最广泛是混合X型等效电路；二是从四端网络观点导出的等效电路，应用最广泛的是H参数电路。表5.2-4示出共发射极组态晶体三极管的两种等效电路和参数。

以上示出的混合X型等效电路和H参数等效电路是等价的，它们之间可以互相转换。由混合X转换为共射组态H参数等效电路的关系式为：

因混合X模型中，TB'C很大，通常可视为开路则上述转换可简化为

经简化之后可以看出，两种等效电路具有相同形式，不同的仅是压控电流源BMVB'O变换成流控电流源